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标题: 求助,GAUSSIAN与ORCA在SMD模型下计算金属配合物单点能有差异 [打印本页]

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love_yy    时间: 2024-1-2 21:43
标题: 求助,GAUSSIAN与ORCA在SMD模型下计算金属配合物单点能有差异
本帖最后由 love_yy 于 2024-1-2 21:43 编辑

在计算金属配合物的金属原子键解离能时发现ORCA在SMD模型下计算的A分子单点能较Gaussian整体偏大,差值约为金属原子在SMD模型下的单点能,输入文件分子均为优化后的同一分子,软件正常结束,该以哪个方法计算A的能量准确?

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附:A分子在Gaussian和ORCA的输入文件:
ORCA: (, 下载次数 Times of downloads: 12)
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Gaussian: (, 下载次数 Times of downloads: 13)

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hebrewsnabla    时间: 2024-1-2 22:07
基组不一样无法比较。另外,你的高斯计算中大概Cu也没有采用一致的基组。
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love_yy    时间: 2024-1-2 22:51
hebrewsnabla 发表于 2024-1-2 22:07
基组不一样无法比较。另外,你的高斯计算中大概Cu也没有采用一致的基组。

ORCA自定义了SDD基组算A的单点我也试过,也是7000多。而且其他原子基组之间的差异绝对没有这么大,我想表达的是这个悬殊差的很大,刚好是Cu离子在SMD模型中的单点能,也很巧合,会不会是我哪里设置问题或者是其他的哪方面问题?

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sobereva    时间: 2024-1-3 02:30
既然要拿两个程序对比,先把所有能统一的尽量全都统一了再说,把可能导致差异的因素控制在尽可能小的范围内,诸如都用PBE0/def2-TZVP,ORCA里不开RIJCOSX等等。Gaussian和ORCA的SMD的极性部分一个是IEFPCM一个是CPCM,光从这点上也有明显差异。

另参考
谈谈不同量子化学程序计算结果的差异问题
http://sobereva.com/573http://bbs.keinsci.com/thread-20122-1-1.html

至于哪个准确,必须结合具体问题才能说,要交代算单点能的目的是干嘛用

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zjxitcc    时间: 2024-1-3 12:59
本帖最后由 zjxitcc 于 2024-1-3 13:01 编辑

当前这些计算不一样的因素有一箩筐,没有比较的意义。控制变量法先降到只差一个因素(除了程序不同外)再说。
作者
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hebrewsnabla    时间: 2024-1-3 16:28
love_yy 发表于 2024-1-2 22:51
ORCA自定义了SDD基组算A的单点我也试过,也是7000多。而且其他原子基组之间的差异绝对没有这么大,我想表 ...

SDD基组搭配SDD赝势和def2基组的差别就是这么大,因为前者用了赝势。

你的“orca自定义SDD基组”不知道有没有正确指定赝势。
作者
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love_yy    时间: 2024-1-3 16:39
hebrewsnabla 发表于 2024-1-3 16:28
SDD基组搭配SDD赝势和def2基组的差别就是这么大,因为前者用了赝势。

你的“orca自定义SDD基组”不知 ...

谢谢老师的回复,我的ORCA-SDD基组雁势是调用内置的SDD赝势,电子基组是在BSE下的。另外结合楼上几位老师的建议,我现在在重新整理计算结果.




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