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标题: cp2k带k点如何使用福井函数预测位点 [打印本页]

作者
Author: Priscilla 时间: 2024-1-19 12:02
标题: cp2k带k点如何使用福井函数预测位点
本帖最后由 Priscilla 于 2024-1-19 12:22 编辑

如题，cp2k带k点无法输出molden文件，因为要算的体系较小，为了精度弄成超胞后，感觉作图不太美观，如果想要用带k点来算福井函数，可以用输出的cub文件来算吗？应该怎么操作？
另外关于计算的细节，师姐说这个体系是Cu从一价变成二价，体系有4个Cu，因此我设置成电荷与自旋多重度分别为4和5，这是否可行？还是要1和2？

作者
Author: sobereva 时间: 2024-1-19 20:01
让CP2K直接输出电子密度的cube的计算时可以考虑k点的
得到两个电子态的电子密度的cube文件后，用Multiwfn的主功能13的子功能11对两套格点数据求差，再导出密度差的cube文件就完了。参看Multiwfn手册4.13.2节演示的格点数据操作的例子。

1和2

另外要注意搞清楚怎么发生反应。如果是界面的反应，直接对体相晶胞做这个计算没意义

作者
Author: Priscilla 时间: 2024-1-19 20:20
本帖最后由 Priscilla 于 2024-1-19 21:00 编辑

sobereva 发表于 2024-1-19 20:01
让CP2K直接输出电子密度的cube的计算时可以考虑k点的
得到两个电子态的电子密度的cube文件后，用Multiwfn ...

谢谢老师，还请问为什么电荷不用4？另外如果是界面的话应该怎么做呢，问了一下师姐确实是一个二维材料，反应发生在表面，但是她给我的文献就是直接用体相晶胞的福井函数，我模仿着做。如果这样是不是要留一个很大的真空区，如此的话这种不规则的晶胞表面应该怎么处理呢？还请老师指教正确的做法

作者
Author: sobereva 时间: 2024-1-20 07:04

Priscilla 发表于 2024-1-19 20:20
谢谢老师，还请问为什么电荷不用4？另外如果是界面的话应该怎么做呢，问了一下师姐确实是一个二维材料， ...

本来有限差分方式算福井函数的标准方式就是整个体系电子数相差1

别盲目效仿文献，胡算瞎算的多了去了。尽信文献不如无文献

显然要留在真空区，尽可能构建得和预期的发生实际界面反应的表面特征一致

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