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标题: 单分子吸附AIMD模拟温度一直控制不住 [打印本页]

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-2-2 14:35
标题: 单分子吸附AIMD模拟温度一直控制不住
各位老师好

我最近在用CP2K做单分子吸附模拟

思路如下：
1. 建立4*4*3的GaN晶体，之后，进行结构优化（cell不变）
2.建立GaN单分子，之后进行结构优化
3.将优化后的GaN单分子放置在GaN上表面0.5nm的高度位置
4.利用cp2k对上述结构在700度进行AIMD模拟(+D3(BJ)的色散矫正)

AIMD只在XY方向使用周期性边界条件，Z方向添加了真空层

控温用了CSVR

但是，温度一直控制不住，所以程序可能存在硬伤，所以麻烦老师指导一下，谢谢

作者
Author: 乐平 时间: 2024-2-2 15:30
（2） GaN 单分子？有这种单分子？

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-2-2 15:36

乐平发表于 2024-2-2 15:30
（2） GaN 单分子？有这种单分子？

应该说是CVD过程中，形成的单体

作者
Author: sobereva 时间: 2024-2-3 06:12
甭用糟糕的PSOLVER ANALYTIC。用目前的Multiwfn对二维周期性体系默认用的MT，别用严重过时的Multiwfn版本
确保SCF收敛情况

在确保没以上问题后，如果温度还有所谓的控制不住，贴出来温度随时间变化的图、上传压缩后的轨迹文件

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-2-5 14:15

sobereva 发表于 2024-2-3 06:12
甭用糟糕的PSOLVER ANALYTIC。用目前的Multiwfn对二维周期性体系默认用的MT，别用严重过时的Multiwfn版本
...

谢谢sobereva老师，大概60fs可以控制住了，不过温度的波动比较大，正负70K，应该是粒子数比较少的原因，我现在把基板的粒子数扩大了4倍，在尝试。再次谢谢sobereva老师

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