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标题: 求助 CsPbI3碘间隙缺陷形成能计算 [打印本页]

作者
Author: 丨小桉柠 时间: 2024-2-29 17:09
标题: 求助 CsPbI3碘间隙缺陷形成能计算
有没有同样算过CsPbI3的碘间隙的小伙伴，下面这两张图都是我在计算中遇到的问题，加了电荷后，计算不收敛，收敛的很慢，最后算的缺陷形成能是负的。有没有知道这是什么原因的？
另附上我的INCAR文件。

作者
Author: ajiu 时间: 2024-11-28 20:16
形成能为负可能是化学势范围没取对；收敛慢是对于带电体系，其能量随超胞尺寸的增大而出现的正常问题，好像需要校正；这部分就是Ecorr；最近我也刚开始学形成能的计算，可能说的不对，请参考；另外您现在知道怎么算Ecorr了吗，我看大部分用的FNV方法。

作者
Author: wkf 时间: 2024-12-23 15:31
首先计算缺陷形成能不建议开启晶胞优化ISIF=3，建议改成ISIF=2；第二这个报错可以尝试加上ADDGRID=TRUE试试可能会消失；接着就是考虑SOC，我一般不考虑SOC，考虑SOC的时候要加上AMIX = 0.03，BMIX = 0.0001之类的具体设置；另外带电体系一般用的是引入背景电荷，通过设置NELECT的方法，通常将中性条件下的CONTCAR作为初始条件可以加快收敛以及避免一些不必要的报错；还有就是计算出来是负的和你的I原子化学势选取有很大关系，设置也都需要保持一致；收敛很慢。Accurate加上SOC和这么高的能量标准肯定很慢啊，M和10-5足够了

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