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标题: 求助按照一篇文献的设置算硅001面能带，结果差的特别多 [打印本页]

作者
Author: ttj 时间: 2024-3-2 15:07
标题: 求助按照一篇文献的设置算硅001面能带，结果差的特别多
大佬们，我按照一篇文献的设置算硅001面能带，结果差的特别多，求指点
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文献做法：平面波扩展采用500eV的能量截止，并使用16×16×1 Monkhorst–Pack k点网格在二维（2D）布里渊区上进行积分。在该计算中，采用了5.43Å的平面内晶格常数，并且真空区域占比超过15Å。使用共轭梯度法对所有原子位置进行几何优化。为了考虑相同厚度的实验样品，我们构建了一个厚度为~10.7nm（80个Si层）的超薄Si纳米膜（NM）模型，如图所示。S4A。此外，Si NM的上表面和下表面上的悬空键都被氧原子钝化。因为超薄Si-NM可以被视为类2D结构，所以如图S4A所示，使用表面布里渊区（BZ）代替体布里渊区进行计算。

作者
Author: ttj 时间: 2024-3-2 15:09
这是我的模型和计算结果

作者
Author: sobereva 时间: 2024-3-2 23:08

ttj 发表于 2024-3-2 15:09
这是我的模型和计算结果

有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员必读贴里明确说了。

帖子标题不得乱用叹号，置顶的新社员必读贴以及http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html都明确说了。这次给你改了，以后注意。

作者
Author: ttj 时间: 2024-3-3 15:57

sobereva 发表于 2024-3-2 23:08
有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员 ...

非常抱歉，给您添麻烦，我下次一定注意

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