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标题: 关于分子受力输出的计算 [打印本页]

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-4-5 14:30
标题: 关于分子受力输出的计算
各位老师好

在计算GaN在SiC的沉积过程中，基板是SiC基板，表面上方添加一个GaN分子，然后分别以Ga朝下和N朝下向SiC基板接近，吸附，在这里，我用CI-NEB方法进行了分析，研究了吸附路径。
但是，我想在吸附过程中，研究整个GaN分子的受力情况，以及Ga原子单个的受力情况，请问应该如何print？

谢谢

作者
Author: sobereva 时间: 2024-4-5 17:09
你是想得到NEB每个点的各个原子受力？
如果是，跑完NEB，对每个点分别做受力任务即可。Multiwfn创建CP2K的输入文件的任务选择列表里选这个：
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作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-4-7 17:47

sobereva 发表于 2024-4-5 17:09
你是想得到NEB每个点的各个原子受力？
如果是，跑完NEB，对每个点分别做受力任务即可。Multiwfn创建CP2K的 ...

谢谢sober老师

我试一下，不过，我不是想求所有点的受力，而是想得到被沉积的整个单个GaN分子的受力，不知道是否可行，谢谢

作者
Author: sobereva 时间: 2024-4-8 02:50

桂の猿发表于 2024-4-7 17:47
谢谢sober老师

我试一下，不过，我不是想求所有点的受力，而是想得到被沉积的整个单个GaN分子的受力， ...

可以根据各个原子的受力计算分子的质心受力

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