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标题: ICSS扫描在原子上时表现出负值过大的问题怎么分析呢 [打印本页]

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skadewawawa    时间: 2024-4-5 17:31
标题: ICSS扫描在原子上时表现出负值过大的问题怎么分析呢
各位老师好,在做icss的扫描图分析时,发现在CuGe12团簇上,当扫描经过Cu原子时,在Cu原子的位置上表现出极大的负值,但是在数值上要比在Cu原子上方1埃开始扫描后大的多,请问为什么在Cu上会表现出大的更多的芳香性呢?是在做结构ICSS分析时都要尽量避开结构上的原子吗?

作者
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sobereva    时间: 2024-4-5 18:22
内核电子产生的感生电流会对内核区域有显著的磁屏蔽效应。这种区域没有考察的意义,跟芳香性没关系
这种体系用一维NICS扫描不适合讨论,应当用三维,至少也应当用二维的图来说事

通过Multiwfn绘制等化学屏蔽表面(ICSS)研究芳香性
http://sobereva.com/216

使用Multiwfn巨方便地绘制二维NICS平面图考察芳香性
http://sobereva.com/682http://bbs.keinsci.com/thread-39020-1-1.html


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skadewawawa    时间: 2024-4-6 09:01
sobereva 发表于 2024-4-5 18:22
内核电子产生的感生电流会对内核区域有显著的磁屏蔽效应。这种区域没有考察的意义,跟芳香性没关系
这种体 ...

好的,谢谢老师
作者
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skadewawawa    时间: 2024-6-7 10:45
skadewawawa 发表于 2024-4-6 09:01
好的,谢谢老师

请问关于nics扫描或者icss这类经过原子的分析芳香性的文献,各位老师有没有相关推荐呢?
作者
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skadewawawa    时间: 2024-6-7 10:57
本帖最后由 skadewawawa 于 2024-6-7 11:02 编辑
skadewawawa 发表于 2024-6-7 10:45
请问关于nics扫描或者icss这类经过原子的分析芳香性的文献,各位老师有没有相关推荐呢?

C:\Users\lenovo\Desktop\Multiwfn_3.8_dev_bin_Win64\dislin_2.pngC:\Users\lenovo\Desktop\20240607105116.png
请问以上两个图片分别是从上图的Cu-Ge-Ge的nics二维填色图(icss为正值)以及文献中的截图,同样在原子位置上的nics值金属Cu上的更大,是因为Cu上的内核原子更多,因此产生的磁屏蔽效应更大吗?




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