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标题: 求助vasp计算外加电场步骤 [打印本页]

作者
Author: zhangmy 时间: 2024-4-8 09:16
标题: 求助vasp计算外加电场步骤
求大佬分享VASP计算外加电场步骤。
我是用0电场优化后的结构，加电场进行自洽能带计算，加的参数是EFIELD = 0.6，LDIPOL=TRUE ，IDIPOL=3 但是得到的结果与没加电场相比带隙只变化不到0.01感觉像是电场没有加上，想问各位大佬是不是我计算步骤或者参数存在问题？
附优化的INCAR:
ISTART =  0
  ICHARG =  2
  ISPIN=1
  PREC =  Normal
  ENCUT  =  500
  EDIFF  =  1E-08
  EDIFFG =  -0.01
  NSW =  300
  IBRION =  2
  ISIF =  2
  ISMEAR =  -5
# SIGMA=0.05
  GGA = PE
  #LORBIT=11
  #ICORELEVEL = 1
  IVDW =11
  LWAVE= F
  LCHARG=T
  ALGO=V
  LREAL=A
  NPAR=4
  LDIPOL=TRUE
  EFIELD=0.6
IDIPOL=3
#  DIPOL=0.5 0.5 0.5
#  LVHAR = T

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Author: weilu 时间: 2024-5-22 05:07
请问题主vaasp外加电场步骤清楚了吗？查看了下是需要添加LDIPOL IDIPOL EFIELD
这三个标签，不过不太清楚EFIELD 具体参数应该怎么设置，以及具体的计算步骤，

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Author: zhangmy 时间: 2024-7-8 21:51

weilu 发表于 2024-5-22 05:07
请问题主vaasp外加电场步骤清楚了吗？查看了下是需要添加LDIPOL IDIPOL EFIELD
这三个标签，不过不太清楚 ...

我也是搜了好久，只知道要加这三个参数，但是具体步骤还是没搞清楚，后续没算了。你可以测试一下从优化开始加或者直接在自洽的时候加

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Author: lin2206 时间: 2024-11-8 18:48
求+1

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