计算化学公社
标题:
Quantun atk计算MOSFET器件的IV特性问题
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作者Author:
sdu_cyh
时间:
2024-4-10 20:27
标题:
Quantun atk计算MOSFET器件的IV特性问题
想请问一下,为什么我在使用第一性原理进行MOSFET器件的IV特性计算的时候,在相同的原子数的情况下,P型掺杂的计算量比n型掺杂的大很多(或者说计算更难以收敛)。感谢。
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