计算化学公社

标题: 求助vasp计算四元合金表面氢吸附d带中心的问题 [打印本页]

作者
Author: ohy 时间: 2024-4-21 20:32
标题: 求助vasp计算四元合金表面氢吸附d带中心的问题
最近在算四元合金表面氢吸附，要分析d带中心，有几个问题不太明白
1.应该算哪个体系的d带中心，是clean表面，还是包含吸附物的吸附表面体系？
2.d-band 中心的大小与吸附能及吉布斯自由能的关系？
3.对比不同位点吸附的体系时d-band积分区间是否需要一致，还是都是从负无穷到正无穷？(EMAX和EMIN采用的默认值)
4.我的体系包含Pd、Pt、Cu、In，vasp计算时incar参数有什么需要注意的地方，以及分别算这四种元素纯单质的d带中心又需要注意什么？（我算出来的和吉布斯自由能的顺序对不上）

作者
Author: sobereva 时间: 2024-4-22 06:36
1 对clean表面、可能吸附氢的位点计算
2 看相关文献，多了去了，诸如Advances in Catalysis, 45, 71 (2000)、Nature, 376, 238 (1995)
3 只要求考虑的能量区间能完整包含d带出现范围，否则得到的d带中心位置必然不准确

欢迎光临计算化学公社 (http://bbs.keinsci.com/)