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标题: vaspkit得校正能出错 [打印本页]

作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-5 16:27
标题: vaspkit得校正能出错
(, 下载次数 Times of downloads: 6)
想请教一下,为什么freq时候vaspkit得吉布斯自由校正能时,会出现这种情况呢?


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123wo    时间: 2024-5-6 15:34
可以去vaspkit的官方论坛或者QQ群问。不知道频率计算有没有正确完成呢?grep cm OUTCAR一下看看
作者
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MBCY    时间: 2024-5-6 20:09
同问,楼主有解决吗
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 09:46
MBCY 发表于 2024-5-6 20:09
同问,楼主有解决吗

没有呢,算了好几个都是这样情况,我觉得可能是结构优化没优化好?
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 09:48
123wo 发表于 2024-5-6 15:34
可以去vaspkit的官方论坛或者QQ群问。不知道频率计算有没有正确完成呢?grep cm OUTCAR一下看看

没有,有好几个很大的虚频。问了一下,有大佬可能觉得我这个基底就不稳定,可能得先算个声子?
作者
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123wo    时间: 2024-5-8 14:50
xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:48
没有,有好几个很大的虚频。问了一下,有大佬可能觉得我这个基底就不稳定,可能得先算个声子?

不是校正吸附物或者气体分子对吗
作者
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123wo    时间: 2024-5-8 14:50
xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:48
没有,有好几个很大的虚频。问了一下,有大佬可能觉得我这个基底就不稳定,可能得先算个声子?

要是校正吸附物,固定基底就好了
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 15:17
123wo 发表于 2024-5-8 14:50
要是校正吸附物,固定基底就好了

在优化时候就把基底全固定了只放开了O,OH,OOH这些吸附分子,但是freq就是好几个很大虚频
作者
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123wo    时间: 2024-5-8 16:54
xxxhhh 发表于 2024-5-8 15:17
在优化时候就把基底全固定了只放开了O,OH,OOH这些吸附分子,但是freq就是好几个很大虚频

按道理这样的简单吸附物的话不会有这样的虚频啊。对了计算频率的时候使用额EDIFF是多少啊
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 19:29
123wo 发表于 2024-5-8 16:54
按道理这样的简单吸附物的话不会有这样的虚频啊。对了计算频率的时候使用额EDIFF是多少啊

EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了,没有一个成功的
作者
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123wo    时间: 2024-5-8 19:38
xxxhhh 发表于 2024-5-8 19:29
EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了,没有一个成 ...

是EDIFF吧
作者
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123wo    时间: 2024-5-8 19:41
xxxhhh 发表于 2024-5-8 19:29
EDIGG=10*-7。会不会是结构优化就没有优化到全局最小点呢。但是ORR过程中吸附O这些的都算了,没有一个成 ...

可以看看OUTCAR里面有没有显示结构优化成功了 reached required accuracy,这样照你说来,我觉得还真有可能没正常优化好呢
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 19:52
123wo 发表于 2024-5-8 19:41
可以看看OUTCAR里面有没有显示结构优化成功了 reached required accuracy,这样照你说来,我觉得还真有可 ...

优化是都成功的,就是算频率时候都失败
作者
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MBCY    时间: 2024-5-8 20:00
xxxhhh 发表于 2024-5-8 09:46
没有呢,算了好几个都是这样情况,我觉得可能是结构优化没优化好?

我是算CO2RR体系正常,HER就报错,换了好几个样品计算都是如此,很费解
作者
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xxxhhh    时间: 2024-5-8 20:41
MBCY 发表于 2024-5-8 20:00
我是算CO2RR体系正常,HER就报错,换了好几个样品计算都是如此,很费解

我们算的是ORR体系,一套参数和我同门一样,就是体系里面金属位置不一样,切的同一个面,她的就能得到校正能,我的就一直错
作者
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123wo    时间: 2024-5-9 08:54
xxxhhh 发表于 2024-5-8 20:41
我们算的是ORR体系,一套参数和我同门一样,就是体系里面金属位置不一样,切的同一个面,她的就能得到校 ...

吸附位点有没有可能得话,他的才是最稳定的
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xxxhhh    时间: 2024-5-9 09:11
123wo 发表于 2024-5-9 08:54
吸附位点有没有可能得话,他的才是最稳定的

我们都是相同金属进行吸附,只不过是金属位置不同,切同样的面,切出来的基底不同
作者
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123wo    时间: 2024-5-9 09:41
xxxhhh 发表于 2024-5-9 09:11
我们都是相同金属进行吸附,只不过是金属位置不同,切同样的面,切出来的基底不同

我明白了,你们是有不同的晶面截止对吧,比如他是A截止,你是B截止
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123wo    时间: 2024-5-9 09:44
xxxhhh 发表于 2024-5-9 09:11
我们都是相同金属进行吸附,只不过是金属位置不同,切同样的面,切出来的基底不同

应该使用比较稳定的截止类型,咱们不是加好友了吗,可以把你和他的照片发我看看




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