liyuanhe211 发表于 2016-11-30 11:52
仿佛没一句对的→_→
SMD计算的是(平均)溶剂化自由能,不是“溶质与溶剂之间的相互作用能”。后者应通 ...
happyrabbit 发表于 2016-11-30 15:40
为何要改变计算方法?B3LYP-D3计算若相互作用很好啊,单点计算的时候增加弥散基组就行
C41014007 发表于 2016-11-30 20:49
因为之前看有文献中使用SMD模型计算溶剂化能的时候使用的是M06-2X/6-31++G**,所以就改了
sobereva 发表于 2016-11-30 17:59
你要计算溶剂化能,就用B3LYP-D3/6-311G**优化得到的结构,在M052X/6-31G*下用SMD溶剂模型来算就完了,这个 ...
C41014007 发表于 2017-3-11 16:56
请问在用M052X/6-31G*方法计算完溶剂化自由能之后,能够直接用该方法下计算溶剂化自由能时得到的波函数文 ...
sobereva 发表于 2016-11-30 17:59
你要计算溶剂化能,就用B3LYP-D3/6-311G**优化得到的结构,在M052X/6-31G*下用SMD溶剂模型来算就完了,这个 ...
qaqfdmmj 发表于 2024-10-31 10:43
sob老师,这里如果计算的是阴离子体系的话,这里6-31G*是要改成6-31+G*吗
sobereva 发表于 2024-10-31 13:14
下文明确说了,即便是阴离子体系用SMD计算溶解自由能也不该带弥散函数
谈谈隐式溶剂模型下溶解自由能和 ...
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