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标题: 求助：Vasp计算In2O3ELF图，表面氧空位电子离域 [打印本页]

作者
Author: 让风推动帆船 时间: 2024-5-20 21:51
标题: 求助：Vasp计算In2O3ELF图，表面氧空位电子离域
本帖最后由让风推动帆船于 2024-5-21 09:11 编辑

用Vasp计算了一个Co-Vo-In2O3表面的ELF，想看看表面氧空位与钴原子之间是否存在电子传输通道（看别人文章的思路，见下图）
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可是我的结果表面氧空位电子离域，不符合文献和逻辑，想问问老师们这可能是什么原因导致的？

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这是INCAR的设置参数

PREC = High
ENCUT  = 450 eV
NELMIN= 5
LREAL = Auto
ALGO = Fast
EDIFF  = 1E-6
NCORE = 10
NELM = 100
ICHARG = 2
NSW = 0
IBRION = -1
LCHARG = T
LELF =  T
LREAL = F
LVHAR = T
LREAL = Auto
IVDW = 11

作者
Author: sobereva 时间: 2024-5-21 00:32
体系自身的差异，或者计算级别的差异，或者其它设定差异（净电荷等）
排除前者可能，先去重复文献里相应体系
排除后者可能，用文献里相同计算级别，特别是泛函。注意纯泛函容易导致电子过度离域，可考虑杂化泛函（VASP杂化泛函是否算得动我不清楚，CP2K用杂化泛函算这种规模的体系轻轻松松）

作者
Author: 让风推动帆船 时间: 2024-5-21 00:47
本帖最后由让风推动帆船于 2024-5-21 00:52 编辑

sobereva 发表于 2024-5-21 00:32
体系自身的差异，或者计算级别的差异，或者其它设定差异（净电荷等）
排除前者可能，先去重复文献里相应体 ...

好的，谢谢sob老师，按照您的回复，我排除一下问题。非常感谢。

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