你既然是研究催化体系，那应该知道催化反应最大的特征是在催化剂的表面发生的。于是，你需要的在石墨模型的基础上进行“切表面”操作。切了表面之后你会发现，层数是可以调节的（因为这时候已经不是原本的块体三维体系了）。比如，你沿着001晶面切表面，那么在c方向的层数是可以按照你的需求来调整的（单层石墨烯，两层石墨烯，三层石墨烯……），而在 a, b 方向依旧是原来块体的周期性无限延伸，即周期性边界条件。
但是，你还会发现，且表面后不再是三维体系。于是，你需要在 c 方向增加真空层来构建成三维体系。那么接下来的问题就是，c方向的真空层需要多厚才合适？
你在网上搜真空层厚度的时候会发现，很多所谓的经验是“真空层厚度在 10 A 就可以了”。还附上一句 10 A 可以避免 c 方向下一周期的镜像与显示的模型之间的范德华力相互作用。 我只能说，呵呵呵呵。
真空层的厚度是需要根据你的吸附分子大小来确定的。如果你只是吸附 H 原子，H2O 分子这类的非常小的分子， 10 A 当然没问题。但是如果吸附的分子但凡大一些，比如吸附苯磺酸分子，吸附基团是磺酸基且苯环垂直于吸附平面，10 A的真空层显然就不够了。所以，真空层的厚度是需要根据你的吸附分子尺寸的大小、吸附分子的朝向来具体分析的。通常是表面 + 2A + 吸附分子在表面的吸附朝向上的最大尺寸 + 10 A。作者Author: KCM@SHU 时间: 2024-5-25 11:59
好的，谢谢老师之前试了一下，大概懂了，确实对这个基础概念有点模糊，目前还在学习中