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标题: 求助做Ni表面的C2H6的吸附时,在优化过程中Ni会向上散开 [打印本页]

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桂の猿    时间: 2024-6-5 12:46
标题: 求助做Ni表面的C2H6的吸附时,在优化过程中Ni会向上散开
各位老师好

我在做Ni表面的C2H6的吸附时过程如下
1.建立Ni的模型(15Ax15Ax10A),
2.在Ni上方预留10A高度的真空区
3.在18A的高度位置加入C2H6分子
4.进行结构优化(geo-opt)

我选用的是XY的周期性边界条件
模拟基组和赝势如下:
&KIND C
      ELEMENT C
      BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q4
      POTENTIAL GTH-PBE
    &END KIND
    &KIND H
      ELEMENT H
      BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q1
      POTENTIAL GTH-PBE
    &END KIND
    &KIND Ni
      ELEMENT Ni
      BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q18
      POTENTIAL GTH-PBE
    &END KIND


同时,加入了色散矫正dftd3


但是在优化过程中,Ni会向上散开,请问为什么会这样?


是否在吸附计算结构优化时,应该把Ni进行固定?


谢谢



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sobereva    时间: 2024-6-5 13:03
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示,求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问,并清楚、准确反映出帖子具体内容,避免有任何歧义和含糊性,仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “CP2K中吸附计算的结构优化” 改了,以后务必注意
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sobereva    时间: 2024-6-5 13:09
直接上传个输入文件就完了,有没有其它硬伤别人也能看得出来,用不着去猜,也省得你去描述。并且直接把优化完的结构贴出来。
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桂の猿    时间: 2024-6-5 13:20
本帖最后由 桂の猿 于 2024-6-5 13:30 编辑

谢谢Sob老师

我已经把Ni的优化文件上传。

第一个文件是Ni的优化
第二个是整体吸附的优化

我在做第二个时发现散开,所以现在单独出Ni优化

谢谢老师




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桂の猿    时间: 2024-6-5 13:22
sobereva 发表于 2024-6-5 13:03
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示,求助帖必须在帖子标题明确体现出此 ...

谢谢sob老师提醒,我已经认真阅读公告,非常感谢
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sobereva    时间: 2024-6-6 00:50
看了absorp.inp,当前的盒子z方向尺寸明显不够满足MT的要求。强烈建议用Multiwfn产生CP2K输入文件,能很大程度避免犯这种低级错误的可能。并且注意监控SCF收敛情况,基于很烂的波函数算的受力也会很烂,结构变化行为也会很恶心
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桂の猿    时间: 2024-6-6 11:36
sobereva 发表于 2024-6-6 00:50
看了absorp.inp,当前的盒子z方向尺寸明显不够满足MT的要求。强烈建议用Multiwfn产生CP2K输入文件,能很大 ...

谢谢sob老师,好的,我用Multiwfn生在,同时,也希望问以下,Z方向尺寸应该如何满足MT要求
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sobereva    时间: 2024-6-7 00:00
桂の猿 发表于 2024-6-6 11:36
谢谢sob老师,好的,我用Multiwfn生在,同时,也希望问以下,Z方向尺寸应该如何满足MT要求


参考北京科音CP2K第一性原理计算培训班(http://www.keinsci.com/workshop/KFP_content.html)这页ppt:

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