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标题: 关于SiO2纳米团簇的建模调整表面羟基数量问题 [打印本页]

作者
Author: zx520054 时间: 2024-6-17 12:04
标题: 关于SiO2纳米团簇的建模调整表面羟基数量问题
请问有没有人尝试过改变SiO2纳米团簇的表面羟基数量（或密度），有没有推荐的比较合理的调整方法。本人采用将临近的羟基进行脱水缩合的方式减小表面羟基数，形成的SiO2拓扑结构导入vmd中会出现异常的键连关系或者原子之间键缺失的情况！谁有比较合理的方法可以推荐下吗，十分感谢！

作者
Author: 雷阵雨 时间: yesterday 14:21
请问你是手动改的吗，有找到更合适的方法吗

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