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标题: 通道结构内氢原子迁移路径的计算求助 [打印本页]

作者
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radical    时间: 2024-6-20 02:21
标题: 通道结构内氢原子迁移路径的计算求助
各位老师好,我想在一个通道结构内得到一个H原子的迁移轨迹图。具体是想给通道内的一个H原子施加一个迁移方向,可以理解为这个H原子沿着通道方向从通道内暴露的吸附位点一直移动,即A-H+B+C...到A+B-H+C...到A+B+C-H...


之前我为了测试通道结构的稳定性计算过AIMD,请问我可以在VASP里面加什么关键词得到相关结果呢,比如施加一个方向的力?

我还看了一些电池里做脱锂迁移路径的计算,他们使用的是NEB计算,但我各个吸附位点都是相同,结构也是通过扩胞得到的,请问这样的情况适合NEB吗?

非常感谢各位老师能在百忙中抽空解惑!


作者
Author:
1138711019    时间: 2024-6-21 10:24
就用NEB呗。位点相同,能量相同,算出来的能垒才对称,做出来的图也好看。




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