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标题: 求助Si\high-k界面测试增加Si层，没有逐渐靠近bulk结构的带隙宽度 [打印本页]

作者
Author: buhanhan 时间: 2024-7-7 15:52
标题: 求助Si\high-k界面测试增加Si层，没有逐渐靠近bulk结构的带隙宽度
本帖最后由 buhanhan 于 2024-7-7 16:42 编辑

我在做Si\high-k界面的计算前，测试了通过增加Si层来试图减小Si切割界面对整体Si能带的影响，我的bulk的Si带隙是0.579eV，在（111）界面切割后，对切割后的结构取了不同层厚，并算了他们的能带数据，然而我发现在Si层过大时，咋个能带数据并没有如同我想的那样，逐渐靠近bulk结构的带隙宽度，这就是我算的一些能带数据，有大佬知道为什么吗？

我对切割后的结构，没有处理的界面用H钝化，切割后的界面并没有钝化处理，并在界面两端加了真空层，优化后的结构，发现均是切割的界面处，Si晶体结构被破坏，其他处的晶体结构并没有多大影响，为啥在16层时，能带数据又成负了呀

作者
Author: buhanhan 时间: 2024-7-7 15:56
本帖最后由 buhanhan 于 2024-7-7 16:48 编辑

请管理删除下这个回贴

作者
Author: sobereva 时间: 2024-7-7 16:12
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