计算化学公社

标题: 如果要计算掺杂体系的能带态密度，是否在计算的时候要考虑带电体系修正 [打印本页]

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-7-8 22:06
标题: 如果要计算掺杂体系的能带态密度，是否在计算的时候要考虑带电体系修正
各位大佬们我想问一下，如果要计算掺杂体系的能带态密度，是否在计算的时候要考虑带电体系修正，也就是要修改NELECT这个参数吗

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-7-8 22:06
@卡开发发卡卡老师，这个问题能帮忙解答下吗

作者
Author: sobereva 时间: 2024-7-8 23:04
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此帖内容是求助或提问，并清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “第一性原理计算掺杂体系能带” 改了，以后务必注意！

参数是取决于程序的，不说程序问什么NELECT毫无意义，何况你发帖时选的分类里也没体现用的程序。

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-7-9 02:26

mxy爱计算发表于 2024-7-8 22:06
@卡开发发卡卡老师，这个问题能帮忙解答下吗

是的（NELECT应该是VASP程序的关键字），但要小心测试超晶胞。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-7-9 10:24

sobereva 发表于 2024-7-8 23:04
如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题明确体现出此 ...

是的老师，我这个是vasp计算，感谢老师指正

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-7-9 11:35

卡开发发发表于 2024-7-9 02:26
是的（NELECT应该是VASP程序的关键字），但要小心测试超晶胞。

卡卡老师，是这样的，如果考虑到在已经结构优化好的Bi24Te36体系中掺杂一个1价Cu的问题，想计算缺陷体系能量，有以下疑惑
1. 直接对加了一个Cu原子的Bi24Te36Cu进行结构优化，这个应该结构优化时候是当做中性体系考虑，结构优化完成之后的带电量应该是Bi24Te36Cu中性体系的带电量，然后在静态计算的时候通过改变NELECT，这样得出一个能量
2. 加了一个Cu之后直接改动相应NELECT，之后NELECT不予以变动，并进行结构优化和后面的静态计算，这样也有一个结果
不知道这样两个理解哪个合理

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-7-9 12:09

mxy爱计算发表于 2024-7-9 11:35
卡卡老师，是这样的，如果考虑到在已经结构优化好的Bi24Te36体系中掺杂一个1价Cu的问题，想计算缺陷体系 ...

2是合理的。但是改动NELECT得做超晶胞测试。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-28 17:25
卡卡老师，我想请问一下，这个改动了NELECT之后，对能带和态密度的影响非常大，如果不改动按照中性体系算，费米能级直接进入了导带，呈金属特性，如果改动了。费米能级依然在价带和导带中间，还是半导体特性，不太清楚改动前后出现变化是为什么，另外哪种可能更合理些，体系是CuBi24Te36，Bi2Te3本身是个半导体。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-28 20:39
希望老师有空可以解答下一下

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-8-28 20:49

mxy爱计算发表于 2024-8-28 17:25
卡卡老师，我想请问一下，这个改动了NELECT之后，对能带和态密度的影响非常大，如果不改动按照中性体系算， ...

你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

作者
Author: shinkon 时间: 2024-8-28 21:55
难道不是考虑形成对应的空穴/电荷补偿离子更合适吗

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-28 22:29

卡开发发发表于 2024-8-28 20:49
你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

老师，测试指的是扩不同大小的超胞计算能量吗，如果计算出了形成能，是取的是形成能高的还是低的

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-28 22:36

shinkon 发表于 2024-8-28 21:55
难道不是考虑形成对应的空穴/电荷补偿离子更合适吗

老师想请问下这个“形成对应的空穴/电荷补偿离子”是什么意思，如果是中性CuBi24Te36，其NELECT为587，如果假设Cu是正一价，是不是要按照NELECT为586来算能带和态密度

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-28 22:38

卡开发发发表于 2024-8-28 20:49
你可以比较一下带电和不带电情况的形成能（具体做法你应该可以从文献上找到，需要注意做好该做的测试）。

老师，这个超晶胞测试是不是那个，要考虑到周期性边界中由于带电体系的静电相互作用而产生的修正，所以需要超晶胞测试

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-8-28 22:54

mxy爱计算发表于 2024-8-28 22:38
老师，这个超晶胞测试是不是那个，要考虑到周期性边界中由于带电体系的静电相互作用而产生的修正，所以需 ...

对。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-29 09:08

卡开发发发表于 2024-8-28 22:54
对。

那如果计算出了带电和不带电下的能量，怎么通过能量判断是采用哪种情况，取能量高的还是能量低的

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-8-29 10:38

mxy爱计算发表于 2024-8-29 09:08
那如果计算出了带电和不带电下的能量，怎么通过能量判断是采用哪种情况，取能量高的还是能量低的

有具体的形成能公式，你可以找下文献，然后根据形成能判断。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-29 10:54

卡开发发发表于 2024-8-29 10:38
有具体的形成能公式，你可以找下文献，然后根据形成能判断。

已经通过形成公式算出了两种情况下的能量，请问老师形成能计算结果的大小对计算能带和态密度时候是否考虑带电有什么影响吗?比方说计算出来中性体系下的形成能更大，那计算能带和态密度时候NELECT要变动吗，还是说按照中性来算

作者
Author: 卡开发发 时间: 2024-8-29 10:57

mxy爱计算发表于 2024-8-29 10:54
已经通过形成公式算出了两种情况下的能量，请问老师形成能计算结果的大小对计算能带和态密度时候是否考虑 ...

你的形成能大指的是带电情况要稍微稳定一些？对带电情况肯定还是要改NELECT。看具体研究目的，可以只研究稳定一些的情况，也可以两个都算。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-29 11:12

卡开发发发表于 2024-8-29 10:57
你的形成能大指的是带电情况要稍微稳定一些？对带电情况肯定还是要改NELECT。看具体研究目的，可以只研究 ...

是的卡卡老师，我出来结果是带电的能量更低，这个结果不知道本身合不合理，我明白了，感谢卡卡老师

作者
Author: shinkon 时间: 2024-8-30 22:11

mxy爱计算发表于 2024-8-28 22:36
老师想请问下这个“形成对应的空穴/电荷补偿离子”是什么意思，如果是中性CuBi24Te36，其NELECT为587，如 ...

我没有特别理解你的意思，主楼按你说的是否是异价取代？

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-8-31 20:49

shinkon 发表于 2024-8-30 22:11
我没有特别理解你的意思，主楼按你说的是否是异价取代？

老师是这样的，是往Bi24Te36中的间隙位置嵌入了一个Cu，想研究Cu的掺杂效应，这种情况下要不要变动NELCET，因为感觉Cu在体系中是以+1加存在的，所以算的时候按照NELECT-1来算，但是也不太清楚怎么算会更合理，还是说按照中性的去算

作者
Author: shinkon 时间: 2024-9-6 03:14

mxy爱计算发表于 2024-8-31 20:49
老师是这样的，是往Bi24Te36中的间隙位置嵌入了一个Cu，想研究Cu的掺杂效应，这种情况下要不要变动NELCET ...

我不太清楚你们领域的通用解决办法，我所在的领域，如果考虑间隙掺杂的话，就会考虑其他地方产生电荷补偿离子来保持电中性，或者挖掉相反电荷的离子来产生空穴

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