计算化学公社

标题: VASP做氧化钨表面吸附甲烷分子前后分子距离问题 [打印本页]

作者
Author: 小阿龙 时间: 2024-7-10 16:46
标题: VASP做氧化钨表面吸附甲烷分子前后分子距离问题
各位前辈好，小弟在做氧化钨表面吸附甲烷分子的时候发现一个问题，在建模时设置甲烷C原子与W原子距离为1.6A(根据大师兄EX54键长小于原子半径之和所确定)，结构优化之后距离增加到了3.238A.一般排斥才会出现距离增加，但是计算吸附能发现为-0.2149eV，吸附能为负值说明吸附上了，但为什么会出现距离增大呢，这样有没有错误呢，向各位前辈请教（附上INCAR）
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作者
Author: 123wo 时间: 2024-7-10 22:17
这是物理吸附，所以距离会这样远

作者
Author: yaoyuan0711 时间: 2024-7-11 09:49
说明你初始摆的太近了，而且是物理吸附，没问题

作者
Author: 乐平 时间: 2024-7-11 09:57
本帖最后由乐平于 2024-7-11 09:59 编辑

请先问自己这样的问题：
甲烷分子是不是已经是稳定的分子了？
甲烷分子中的 C 是不是已经被 4 个 H 成键了？饱和了？
甲烷分子中的 H 是不是已经和 C 成键了？饱和了？

请再回忆自己看过的文献或者做过的其他吸附计算的例子（比如 HER, ORR, OER 等等）：
H 质子是饱和成键状态吗？
OH 是饱和成键状态吗？
OOH 是饱和成键状态吗？

思考完上述问题，自然就明白了。
CH4 甲烷分子没有和表面发生电子转移（不相信的话，可以做差分电荷密度计算来验证），没有形成化学键的趋势。
它在表面上是物理吸附，与表面的距离当然在范德华作用力的范围附近。

作者
Author: 小阿龙 时间: 2024-7-11 11:27

yaoyuan0711 发表于 2024-7-11 09:49
说明你初始摆的太近了，而且是物理吸附，没问题

谢谢老师

作者
Author: 小阿龙 时间: 2024-7-11 11:29

123wo 发表于 2024-7-10 22:17
这是物理吸附，所以距离会这样远

谢谢老师

作者
Author: 小阿龙 时间: 2024-7-11 11:34

乐平发表于 2024-7-11 09:57
请先问自己这样的问题：
甲烷分子是不是已经是稳定的分子了？
甲烷分子中的 C 是不是已经被 4 个 H 成键 ...

谢谢老师，您说得对CH4已经饱和了，但是我的研究是甲烷氧化脱H制甲醇。没有发生化学吸附的话，是不是意味着CH4没办法裂解脱H。是否意味着我需要对催化剂进行改性以达到所谓的化学吸附。

作者
Author: 123wo 时间: 2024-7-11 16:22

小阿龙发表于 2024-7-11 11:34
谢谢老师，您说得对CH4已经饱和了，但是我的研究是甲烷氧化脱H制甲醇。没有发生化学吸附的话，是不是意味 ...

应该是氧化物例如氧气辅助脱氢，我猜测，可以考虑在甲烷附近先放一个氧气

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