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标题: 求助空穴-电子分析S1发射过程电荷转移 [打印本页]

作者
Author: wal 时间: 2024-7-22 13:09
标题: 求助空穴-电子分析S1发射过程电荷转移
用S0优化后结构做TD-DFT单点可以分析激发过程电荷转移方向，那用S1优化后结构做TD-DFT单点是否可以分析S1跃迁回S0时的电荷转移方向？
分析S1发射过程时，如果采用了隐式溶剂模型，是否需要加solvent=eqsolv考虑平衡溶剂效应？

作者
Author: sobereva 时间: 2024-7-23 04:11
可以
需要

另外，Multiwfn的空穴-电子分析功能可以直接用优化激发态的输出文件，会读取最后一步的组态系数信息，如果级别不更换的话不需要单独在S1极小点结构下再做一次TDDFT。

作者
Author: wal 时间: 2024-7-23 09:24

sobereva 发表于 2024-7-23 04:11
可以
需要

噢噢学到了！谢谢老师

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