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标题: 求助:Multiwfn后处理TDOS峰高很高，而PDOS却很低 [打印本页]

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-7-29 13:12
标题: 求助:Multiwfn后处理TDOS峰高很高，而PDOS却很低
老师好，
我利用Multiwfn处理cp2k生成的.molden文件
我的模型如图，结构文件，是TMAl在Si表面的吸附，吸附过程伴随分解，分解为了CH3*和DMAl*
(, 下载次数 Times of downloads: 20)
为了分析成键，我输出了.molden文件

在作图时，发现，整体TDOS+PDOS_Al(3S)+PDOS_Al(3Px)图如图1所示，几乎看不到PDOS_Al(3S)+Al_(3Px)
(, 下载次数 Times of downloads: 21)
我不显示TDOS，仅仅显示PDOS_Al(3S)+PDOS_Al(3Px)图，且调整y轴范围后，如图2所所示
(, 下载次数 Times of downloads: 17)
请问TDOS和PDOS如此大的高低差距，是因为Si的数量远多于Al所造成的吗？
如果是这样，如何可以忽略Si数量造成的差距？
（当然，因为吸附不考查TDOS，可以忽略TDOS，但是，担心自己后处理有问题，所以咨询各位老师）
.molden文件过大，无法上传，抱歉

谢谢

作者
Author: sobereva 时间: 2024-7-30 06:20
就是你说的原因。可以忽略

另外，光从DOS分析很抽象，结合Multiwfn还有更好的分析途径：
使用Multiwfn对周期性体系做键级分析和NAdO分析考察成键特征
http://sobereva.com/719（http://bbs.keinsci.com/thread-47176-1-1.html）

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-8-2 13:58

sobereva 发表于 2024-7-30 06:20
就是你说的原因。可以忽略

另外，光从DOS分析很抽象，结合Multiwfn还有更好的分析途径：

谢谢老师

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