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标题: 请问大家三维晶体切了表面之后做单原子掺杂时是否需要优化晶胞参数 [打印本页]

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Author: dali 时间: 2024-8-5 14:54
标题: 请问大家三维晶体切了表面之后做单原子掺杂时是否需要优化晶胞参数
在Materials Project数据库获得三维晶体材料的原胞结构模型cif文件，之后用VASP做了原胞的晶胞参数优化+结构优化，优化好的原胞转成Conventional cell后在MS中切表面，切表面后固定底层放开上层，之后只做结构优化不需要晶胞优化。但是随后的在表面做单原子取代掺杂的结构优化要不要做晶胞优化？
如果要做晶胞优化，有几个疑问：这时底部几层坐标是固定的，可以晶胞参数优化吗？；晶胞参数优化了与块体的晶胞参数就不一致了，合理吗？
如果不做晶胞优化，有几个疑问：表面已经做了掺杂了就不再是原始的表面了，不优化晶胞不合理吧？
比如Al2O3的表面结构优化好后，需要将表面的一个Al或O原子替换为其它类型的原子做取代掺杂，这个掺杂模型建好后只做结构优化？还是做晶胞参数优化+结构优化？请问大家是如何做的？

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