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标题: 请教关于smear的用法 [打印本页]

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lastzealot    时间: 2016-12-23 23:59
标题: 请教关于smear的用法
在很多计算程序中都有smear这个关键词,也总听别人说,在SCF不收敛的时候加入这个就收敛了。小弟不大明白,想请教一下老师。

1 这个smear的物理意义是什么呢

2 一般什么时候需要用到

3 会不会对计算结果造成误差

4 一般设置为多大数值呢


谢谢老师,请多指教。

作者
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卡开发发    时间: 2016-12-25 12:02
0、很多程序都有smear,但不同的场合用途不相同,一般而言,smear通常指的是将数据使用特定峰宽的函数进行逼近。

1、电子结构计算中,smear是一个和电子温度有关的量。对于自由电子系统,电子对能级的占据服从Fermi-Dirac分布,0K下是一个阶跃函数,而有限温度下相当于展宽函数是Fermi-Dirac函数,smear的值就是kT(k是Boltzmann常量)。

2、作用一般是这些:
(1)对于比较接近自由电子的情形,Fermi-Dirac展宽能够比较好地当做有限温度的一种处理方式。一般分子系统因为gap比较大,所以温度不太高的时候电子热激发几乎可以忽略。
(2)一般可以加快SCF的收敛,但会影响能量结果(Gaussian中SCF=Fermi的电子温度随着迭代动态变化,最后会回到0K,所以不会带来误差)。
(3)对于固体系统,这可以作为一种近似的方案,但使用展宽的原因主要并非逼近有限温度,如0K下,金属中的电子在Fermi能级附近是阶跃的,计算BZ积分需要相当大的k点才可能得到可靠的能量、力,此时可以引进smear函数来辅助处理BZ积分,除了前面提到的Fermi-Dirac函数,Gaussi函数等也是比较常用的,但除了FD函数,其他形式的展宽函数一般没有物理意义。

3、无论smear函数形式如何,做了这个设置相当于给电子施加了温度,电子也会有熵值,此时计算中的自由能和能量不相等。对于要得到0K结果的情形,只有smear尽可能小才可能得到偏差不大的结果。

4、对于2中的用途(1)可以根据smearing=kT来估计,用途(2)可以根据SCF收敛的情况进行调整,用途(3)一般需要进行测试。
作者
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lastzealot    时间: 2016-12-25 23:42
卡开发发 发表于 2016-12-25 12:02
0、很多程序都有smear,但不同的场合用途不相同,一般而言,smear通常指的是将数据使用特定峰宽的函数进行 ...

谢谢 好牛 不过说实话看的不大懂
只知道了这种方法可以用于解决SCF不收敛的问题
我的体系中有单电子 在计算时经常出现moderate converged或not converged you need more iterations报错
加强smear据说能好一些,有人告诉我一般把smear定为0.01,我不知道这个值对能级大小有何影响,所以问了上述问题
谢谢解答
作者
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卡开发发    时间: 2016-12-26 00:02
lastzealot 发表于 2016-12-25 23:42
谢谢 好牛 不过说实话看的不大懂
只知道了这种方法可以用于解决SCF不收敛的问题
我的体系中有单电子 在 ...

我不知道你采用什么程序做的计算。smearing会引起电子在能级上分数占据,反过来影响能级和能量,一般不太推荐这样的方式。解决SCF难收敛的方式绝非只有这一种,但要具体问题具体分析。
作者
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lastzealot    时间: 2016-12-26 13:08
卡开发发 发表于 2016-12-26 00:02
我不知道你采用什么程序做的计算。smearing会引起电子在能级上分数占据,反过来影响能级和能量,一般不太 ...

谢谢
作者
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李泽旭    时间: 2020-5-7 22:46
smear = KT smear = 0.01 就是意味着温度很高达到10的20 次方这样的数量级, 也就是说会引起电子能级跃迁。电子从低轨道 到高轨道占据对吗

作者
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JCenter    时间: 2025-3-5 19:19
卡开发发 发表于 2016-12-26 00:02
我不知道你采用什么程序做的计算。smearing会引起电子在能级上分数占据,反过来影响能级和能量,一般不太 ...

老师,我看cp2k中研究共价键解离成自由基的FPMD过程也可以用smearing,是不是因为均裂后,单电子占据轨道与相邻轨道能级接近,类似于金属的低gap,所以得用smearing。如果反应中没有金属、反应不涉及均裂、gap不小的情况下,应该不需要smearing吧
作者
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卡开发发    时间: 2025-3-5 21:10
JCenter 发表于 2025-3-5 19:19
老师,我看cp2k中研究共价键解离成自由基的FPMD过程也可以用smearing,是不是因为均裂后,单电子占据轨道 ...

如果采用固定占据或四面体求积,待求的计算性质能在较少的k点下就能收敛,那也就没有使用smearing的必要。只能说对于金属性体系来说,不满足这样的要求,而从表观现象上看这些体系通常是窄gap的,与体系是否包含金属、涉及均裂/异裂没有直接关系。而对于特定的程序在工程化层面可能出现的问题是不得不采用smearing,如VASP当中对不可约k点小于4的情况就没办法使用四面体求积,但又不支持固定占据,就只好smearing了。你可以根据你的情况测试测试。
作者
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JCenter    时间: 2025-3-5 22:29
卡开发发 发表于 2025-3-5 21:10
如果采用固定占据或四面体求积,待求的计算性质能在较少的k点下就能收敛,那也就没有使用smearing的必要 ...

好嘞,感谢老师




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