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标题: 研究Cu掺杂对Bi2Te3能带结构的影响，VASP能带计算结果怎么分析？ [打印本页]

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Author: mxy爱计算 时间: 2024-9-2 22:33
标题: 研究Cu掺杂对Bi2Te3能带结构的影响，VASP能带计算结果怎么分析？
想分析Cu掺杂对Bi2Te3能带结构的影响，因此绘制了band图，但是不知道该怎么分析，感觉没啥变化，有没有大佬能够帮忙看看可以从哪些地方分析，黄色曲线是纯的Bi24Te36，其余三条曲线是Cu占据不同位点情况下的，用实线表示，黑色虚线是纯的作为对照。

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Author: mxy爱计算 时间: 2024-9-2 22:33
费米能级都定义在 0点了

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Author: sobereva 时间: 2024-9-3 11:58

mxy爱计算发表于 2024-9-2 22:33
费米能级都定义在 0点了

有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员必读贴里明确说了。

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Author: mxy爱计算 时间: 2024-9-3 14:13

sobereva 发表于 2024-9-3 11:58
有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，这点在置顶的新社员 ...

好的老师，我知道了

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Author: 1372133091 时间: 2024-9-5 00:11
本帖最后由 1372133091 于 2024-9-5 01:02 编辑

有以下建议：
看PDOS的变化，Cu的掺入会导致DOS变化，PDOS也会出现变化，通过DOS同样可以解释能带的一些信息。
（表述不一定对，但是大致意思就是看DOS和PDOS）
不过也有可能掺杂对能带确实没有变化。
根据我自己的经验说一下，我刚接触VASP也没有太久，我之前掺杂后发现整体的能带会上下移动。
如有错误还望指出，十分感谢。

作者
Author: mxy爱计算 时间: 2024-9-5 15:48

1372133091 发表于 2024-9-5 00:11
有以下建议：
看PDOS的变化，Cu的掺入会导致DOS变化，PDOS也会出现变化，通过DOS同样可以解释能带的一些信 ...

感谢回复，我这几张图是改动了NELECT算的，但是感觉不合理，因此按照中性体系的算，发现能带往下移动，费米能级进入了导带，而且带隙有缩小的趋势，发现在导带底附近出现了一条新的带，怀疑是Cu形成了杂化，于是想从态密度上进行分析，但是不知道分析杂化得到时候，是应该考虑费米能级附近的还是导带底附近的，因这两个不在一个位置

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Author: walxf1987 时间: 2024-9-27 19:35
你好，楼主，请问下你做能带计算建立晶胞加入Cu原子后，要不要在把对称性加回去做结构优化

作者
Author: walxf1987 时间: 2024-10-10 16:59
学习了

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Author: mxy爱计算 时间: 2024-10-24 15:19

walxf1987 发表于 2024-9-27 19:35
你好，楼主，请问下你做能带计算建立晶胞加入Cu原子后，要不要在把对称性加回去做结构优化

不考虑对称性吧，不然感觉会有问题

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