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vasp计算缺陷态密度,采用K点12*12*1和能带计算高对称点计算得到的态密度差异很大
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作者Author:
zukelei
时间:
2024-9-19 17:02
标题:
vasp计算缺陷态密度,采用K点12*12*1和能带计算高对称点计算得到的态密度差异很大
vasp计算带电缺陷,中性体系为电荷数为1274,计算负二价缺陷电荷数为1276。分别采用K点为12*12*1和高对称点所得到的态密度,在禁带区域差异很大。12*12*1,KMASH为0.01。
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