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标题: 请问，使用CP2K对二维材料h-AlN进行结构优化后出现结构畸变是什么原因 [打印本页]

作者
Author: pzl0725 时间: 2024-9-25 18:46
标题: 请问，使用CP2K对二维材料h-AlN进行结构优化后出现结构畸变是什么原因
各位老师，请问我在使用CP2K对二维材料h-AlN进行结构优化后出现结构畸变是什么原因呢？有什么好的解决办法吗？
结构优化前的侧视图 (, 下载次数 Times of downloads: 2)

在结构优化后 (, 下载次数 Times of downloads: 3)

这是我的inp和cif文件

作者
Author: 桂の猿 时间: 2024-9-25 19:57
几个问题
1. cif下载的几何结构建议第一部先做Cell优化
2.AlN是半导体材料，建议开启smearing
3.看你的样子是准备做slab，一般是要做几层，底部要固定一两层
4.为了电荷分布合理，最低部的Al或者N需要加H做均衡

建议多看看这方面的文章，扎实下理论，不要上来就写

PS：群里和论坛，24h内不要重复问，社长有过要求哦

作者
Author: pzl0725 时间: 2024-9-25 20:50

桂の猿发表于 2024-9-25 19:57
几个问题
1. cif下载的几何结构建议第一部先做Cell优化
2.AlN是半导体材料，建议开启smearing

谢谢您的回复。
我是要做滑移铁电相关，所以目前两层就可以了。关于重复提问的问题我也会注意的

作者
Author: sobereva 时间: 2024-9-25 21:44
如果考虑前述问题还不理想的话，建议用PBEsol结合TZVP-MOLOPT-GTH档次基组再试

作者
Author: pzl0725 时间: 2024-9-25 23:11

sobereva 发表于 2024-9-25 21:44
如果考虑前述问题还不理想的话，建议用PBEsol结合TZVP-MOLOPT-GTH档次基组再试

好的，谢谢老师

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