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标题: AIMD如何指定初始温度 [打印本页]

作者
Author: wmy 时间: 2024-9-27 17:55
标题: AIMD如何指定初始温度
本帖最后由 wmy 于 2024-9-27 19:39 编辑

各位老师好，最近准备做变温的AIMD，我想要重点考察变温过程中结构的变化(我有100 K和300 K单晶结构，空间群没有变化，只有键长微小的变化，我想动态的实现变化的过程)。对于设置参数有些疑问，请教下大家：
1. MD部分的 TEMPERATURE。我想问下TEMPERATURE是最终温度还是初始温度呢？我想从100 K变化到300 K,是否有类似vasp中的 TEBEG/TEEND参数指定变化的起始温度呢？
2. 热浴中TIMECON 调控温度波动的，越大温度波动越慢吗？
4. 假如上面的方法都无法让温度缓慢变化，我该设置那些参数呢？

作者
Author: Uus/pMeC6H4-/キ 时间: 2024-9-27 18:29
本帖最后由 Uus/pMeC6H4-/キ于 2024-9-27 18:41 编辑

看来CP2K的手册对AIMD的温度控制写得不够直观啊，我都看到至少一个两个三个四个相关讨论帖了（笑）最好都点进去读一读。

虽然自己暂时不涉及变温的研究，不知道楼主这样的计划怎么实现，但是我是这么理解温度控制的：目前CP2K尚未支持设置初始温度实现线性升温/退火的功能，&MD下&TEMPERATURE就是唯一的最终目标的平衡温度（虽然平衡时候围绕设定值仍有一定波动）。那个&ANNEALING的名字也很有误导性，手册说实际上是速度调节的因子，只用于对粒子不施加热浴的系综，不适合考察特定平衡温度下体系性质的研究。至于&TIMECON，不同热浴的时间常数具体定义不同，就目前比较推荐的CSVR而言从手册可见越小控温效果越强；一般从初始结构（如几何优化获得的）开始的预平衡阶段用小一点的值以快速接近平衡温度，平衡后（判断依据参考社长博文）收集数据的产生阶段用大一点的值以减小温控的外加影响。

作者
Author: wmy 时间: 2024-9-27 19:26
本帖最后由 wmy 于 2024-9-27 19:27 编辑

Uus/pMeC6H4-/キ发表于 2024-9-27 18:29
看来CP2K的手册对AIMD的温度控制写得不够直观啊，我都看到至少一个两个三个四个相关讨论帖了（笑）最好都点 ...

假如我想实现从初始温度100 K开始，我是不是只能按照参考书P230例子来实现： 1. 先设定TEMPERATURE为100，TIMECON 设为50快速拉到指定温度。 2. 然后将restart改为inp，调温度为300 K ，TIMECON设为800，就能实现从100 K 到 300 K的缓慢温度变化下的动力学呢？
有没有更快的方法呢？

作者
Author: sobereva 时间: 2024-9-28 00:01
1 最终温度
2 越大温度整体变化越慢。了解热浴的基本原理

不要说什么“参考书P230”，没人知道指什么。如果是北京科音CP2K第一性原理计算培训班（http://www.keinsci.com/workshop/KFP_content.html）的讲义（根据你的描述应当是这样），明确说出来

没有更快的方法，这就够简单的了，还怎么更快？

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