计算化学公社

标题: 求助如何根据Spin up和Spin down的DOS判断禁带宽度 [打印本页]

作者
Author:
1372133091    时间: 2024-11-8 09:29
标题: 求助如何根据Spin up和Spin down的DOS判断禁带宽度
本帖最后由 1372133091 于 2024-11-8 09:34 编辑

各位老师好!我在使用VASP计算态密度时,得到了如下图所示的DOS图,在将费米能级移动到零点后发现Spin up的态密度穿过费米能级,而Spin down的态密度表现出~2eV的禁带宽度。
这个材料是否是半导体?

作者
Author:
林家清染    时间: 2024-11-8 09:32
直接计算能带呀,会更直观的看到带隙。
作者
Author:
1372133091    时间: 2024-11-8 09:34
林家清染 发表于 2024-11-8 09:32
直接计算能带呀,会更直观的看到带隙。

已附上能带图的计算结果,更新在第一楼
作者
Author:
sobereva    时间: 2024-11-9 06:37
(, 下载次数 Times of downloads: 1)
作者
Author:
1372133091    时间: 2024-11-9 16:27
sobereva 发表于 2024-11-9 06:37

谢谢社长




欢迎光临 计算化学公社 (http://bbs.keinsci.com/) Powered by Discuz! X3.3