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标题: 电荷转移导致Si-Si键断裂问题请教 [打印本页]

作者
Author: 云霭 时间: 2024-11-16 15:47
标题: 电荷转移导致Si-Si键断裂问题请教
本帖最后由云霭于 2024-11-16 16:00 编辑

图中A为正常Si-Si键结构，B也是Si-Si键，但B中左边Si多了一个氧配位，请问Si-Si键在多了一个O配位后，会导致图中标识的Si-O键断裂，进而导致Si-Si键形成的反键轨道断裂，如何解释这种断裂机制呢？谢谢！

作者
Author: sobereva 时间: 2024-11-16 16:13
途中并未体现出断裂
看下文
谈谈原子间是否成键的判断问题
http://sobereva.com/414（http://bbs.keinsci.com/thread-9840-1-1.html）

断裂是对键而言的，不存在“反键轨道断裂”这种说法

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