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标题: VASP对异质界面结构AIMD模拟升温设置合理吗 [打印本页]

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Author: yiranfengbai 时间: 3 day ago
标题: VASP对异质界面结构AIMD模拟升温设置合理吗
各位老师好，我想使用VASP对异质界面结构（约350个原子）进行升温AIMD模拟。计划分两步进行：1，退火，从10K升到1500K。2，达到1500K时，NVT平衡20ps。因为之前只做过NVT恒温模拟，没有做过非恒温模拟，请问老师这样设置合理吗？另外，升温速率有固定的取值范围吗？相关论文中使用33K/ps的升温速率，但这样会导致退火阶段时间较长（约45ps），能否把升温速率设为100或200k/ps左右呢？
#MD
IBRION = 0
SMASS = -1 # 退火
NSW = 10000
POTIM = 1.5 # STEPS
#MDALGO = 2 # NOSE-HOOVER
TEBEG = 10
TEEND = 1500
NBLOCK = 1
#KBLOCK = 50

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