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标题: vasp计算异质结形成能问题求解 [打印本页]

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Author: AlexGerry 时间: 2024-11-25 09:20
标题: vasp计算异质结形成能问题求解
本人刚研一，在用vasp计算异质结的形成能的时候，发现形成能会很负，达到-10甚至-20eV左右，形成能计算公式是总能量分别减去上下两层的能量。
异质结结构是下层MXene，上层是自己预测的一组非金属结构，该非金属结构做过声子谱和AIMD，都是稳定的，
想问问各位老师，是什么原因导致形成能很负的，下面是我的结构优化的INCAR，单层结构优化也是这个INCAR

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