标题: 关于高斯计算磷光发射能时结果偏差较大的问题 [打印本页] 作者Author: liujinwang 时间: 2024-11-29 09:49 标题: 关于高斯计算磷光发射能时结果偏差较大的问题 新手刚开始学习计算磷光发射能，发现计算的结果老是偏差很大，给出的计算范围在1000+nm和结果预期对不上，所以想请各位大佬指点迷津。
我是用的计算方法是：1 优化T1结构：#p opt pbepbe/lanl2dz ，电荷和自旋多重度为1 3。（因为配合物带正电荷）
2 取上一步优化得到的结构，用#p td=triplets pbepbe/lanl2dz，电荷和自旋多重度为1 1。具体的已放附件。得出的计算结果：
Excited State 1: Triplet-A 0.9443 eV 1312.94 nm f=0.0000 <S**2>=2.000
194 ->195 0.70688
This state for optimization and/or second-order correction.
Total Energy, E(TD-HF/TD-DFT) = -2332.63024827
Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density.
Excited State 2: Triplet-A 1.5747 eV 787.36 nm f=0.0000 <S**2>=2.000
194 ->196 0.70398
Excited State 3: Triplet-A 1.7067 eV 726.44 nm f=0.0000 <S**2>=2.000
193 ->195 0.69610
反而是Excited State 2和3更趋近实际结果，考虑到没做频率计算又做了频率计算发现结果还是对不上。