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标题: 钨的氧化物表面吸附水分子的模拟 [打印本页]

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Author: rabbitkiller 时间: 2024-12-22 17:40
标题: 钨的氧化物表面吸附水分子的模拟
请教各位，用VASP或者QE模拟钨的氧化物表面吸附水分子的吸附情况，需要开自旋轨道耦合（SOC）吗？

网上看了些教程和分析，推荐要开SOC，因为钨原子原子层数多，SOC效应明显；但也看到一些模拟的文献并未开启SOC。所以想听听大佬们的建议。

另外，如果要开SOC，我看很多做法是在几何优化阶段不开SOC，优化好之后开SOC跑一个SCF计算。但是如果几何优化阶段不开SOC，跑出来的吸附点位会不会不是能量最低的位置？

谢谢！

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