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标题: 有关dimer使用oniom方法计算绝热电离能的求助 [打印本页]

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王采岑    时间: 2025-1-5 22:42
标题: 有关dimer使用oniom方法计算绝热电离能的求助
各位老师前辈,我现在有一个不同分子组成的dimer。想在尽量维持优化好的构型前提下,计算分子A失去电子的绝热电离能和分子B得到一个电子的绝热电子亲和能。这就要求计算绝热电离能时,分子A失去电子后的电荷自旋为1 2,而分子B则为0 1。我打算用oniom来实现,现想法如下,不知道合理否,请老师前辈指教:
计算绝热电离能相关关键词:
#p opt freq oniom(wb97xd/def2svp:wb97xd/def2svp) nosymm
E(N-1)电荷自旋设置为
-1 2 -1 2 0 1

E(N)电荷自旋设置为
0 1 0 1 0 1
然后计算得到的二者能量相减
因为E(ONIOM) = E(high, model) + E(low, real) − E(low, model),我隐隐感觉这样不合理,怀疑点1在于高层和低层的计算机别设置,2在于real的电荷自旋设置,3在于本身这个想法就有问题。如果这样不合理,是不是干脆直接分开2个分子做一个垂直的电离能和亲和能。
应该写在前面:实际是分子A,和分子B1,B2,B3,B4,B1有吸电子取代基,B2无取代基,B3有给电子取代基,B4有强给电子取代基。A+B组成的dimer,AB1,AB2,AB3在优化S1构型时,2个分子距离比基态距离变近,这很好理解。但是AB4的S1构型距离变远了,分析S1构型下的S态和T态的NTO,AB1,AB2,AB3均有从A到B的CT,而AB4只是LE。我想解释这个变远的原因,考虑B4是强给电子基,导致B4难以接收电子,不知道计算上述电离能和电子亲合能是否能行,还是说做其他分析。
感谢各位老师前辈





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