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标题: 关于应用Gaussian进行TDDFT计算绝热激发能的近似疑问 [打印本页]

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Author: wcy鱼饵 时间: 2025-1-13 12:54
标题: 关于应用Gaussian进行TDDFT计算绝热激发能的近似疑问
各位老师好，学生在优化T3构型的时候，出现了T3和T2的势能面交叉（优化T3的构型时跑到了T2构型中），经基态物质的垂直激发能计算，发现T3和T2能量仅相差0.2eV。体系为五十多个原子（含有S C O N H），用的是def2tzvp/PBE0,学生更多关注的是该过程中电子转移相关的能量，体系中无相关化学反应。想问问能不能用T2优化出的构型去近似计算T3的单点能（T2构型关键词：td=(nstates=8,root=3,triplet)）作为T3的绝热能的近似。这样的误差是否允许？

作者
Author: cokie 时间: 2025-1-13 16:52
如果是给自己预实验做初筛还行，如果是要发表，是不可能允许的。

作者
Author: wcy鱼饵 时间: 2025-1-13 20:50

cokie 发表于 2025-1-13 16:52
如果是给自己预实验做初筛还行，如果是要发表，是不可能允许的。

老师您好学生的本意是想发表但是这种情况您这边有什么好的建议吗？

作者
Author: cokie 时间: 2025-1-13 22:29

wcy鱼饵发表于 2025-1-13 20:50
老师您好学生的本意是想发表但是这种情况您这边有什么好的建议吗？

可参考http://sobereva.com/468

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Author: wcy鱼饵 时间: 2025-1-13 22:46

cokie 发表于 2025-1-13 22:29
可参考http://sobereva.com/468

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