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标题: 求助导电性基底+水层体系AIMD, CP2K离子步慢于VASP的问题 [打印本页]

作者
Author: zhuyiyan 时间: 2025-3-16 20:29
标题: 求助导电性基底+水层体系AIMD, CP2K离子步慢于VASP的问题
想请教下是不是输入文件哪里设置不对还是体系比较特殊, CP2K计算速度不如VASP, 结构输入输出上传了附件.
对比了CP2K和VASP的AIMD在不同体系的计算速度, 是在gcc升级到14.2.0的centos7.9上的2025.1版本的popt的cp2k算的(比淘宝找人装的24.2popt速度没什么区别, 应该不是编译的问题)
找了个CP2K可能优势不那么明显的体系, 40个Au原子的分子结, 设置了224K点, 都做了收敛性测试, CP2K也比VASP快了一倍多. 原子数几百的其他体系测试快了很多倍.
但是在测试Cu+H2O(cp2k离子步14s, vasp离子步12秒)以及单层石墨烯的Ni_N4+H2O时(cp2k离子步19秒, vasp离子步5秒), 因为基底是导体, 使用的diag(测试比ot快), 比较的是稳定后, 运行一步需要的时间.第二个VASP的OUTCAR文件太大没上传
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作者
Author: twj123 时间: 2025-6-14 18:48
请问什么原因,分析出来了吗？

作者
Author: qczcb2 时间: 2025-6-15 22:41
但是第一个体系的cp2kout显示使用64核，vasp使用128核。所以第一个任务应该还是cp2k快，至于第二个怀疑是有其他任务，没有独占节点导致了性能下降？

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