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标题: DFT第一性原理-肖特基势垒 [打印本页]
作者Author: huisuan2024 时间: 2025-4-7 17:51
标题: DFT第一性原理-肖特基势垒
本帖最后由 huisuan2024 于 2025-4-7 17:55 编辑
西安工业大学（博导）化工学院-能源与环境催化材料的理论（研究方向）
哈喽，后续准备结合模拟计算板块：第一性原理、分子动力学、量子化学、有限元仿真、相爱计算、机器学习这6个板块，开设新手入门级的内容介绍，主要针对每个板块的计算内容给同学们进行一些讲解。
关于各个模拟计算板块，同学们有问题的地方我们也可以在评论区进行探讨交流！
一、肖特基势垒的定义与形成机制肖特基势垒（Schottky Barrier）是金属与半导体接触时形成的具有整流特性的界面势垒。
其核心机制源于金属和半导体之间的费米能级差异：
费米能级对齐：当金属与半导体接触时，电子从高费米能级（如N型半导体）向低费米能级的金属扩散，导致半导体界面形成正离子耗尽层，金属表面积累负电荷。
能带弯曲：在热平衡状态下，半导体导带边缘与金属费米能级之间的能量差即为肖特基势垒高度（Φ_B），该值由金属功函数（φ_M）和半导体电子亲和势（χ_S）决定，满足公式：Φ_B = φ_M - χ_S。
与PN结的区别：肖特基势垒的耗尽层更薄（仅几纳米），且正向导通电压低（0.15-0.45 V），适合高频应用
欧姆接触与肖特基接触的对比：欧姆接触要求势垒高度极低或通过重掺杂实现隧穿效应，电流-电压关系呈线性； 肖特基接触具有非线性整流特性，常用于二极管等器件
二、肖特基势垒的计算方法1. 实验测量法变温I-V特性测试：通过探针台和半导体分析仪获取不同温度下的电流-电压（I_D-V_DS）曲线，绘制阿伦尼乌斯曲线（横轴为1000/T，纵轴为ln(I_DS/T^3/2)）。斜率拟合：对多条V_DS对应的曲线进行线性拟合，得到斜率S，利用公式Φ_B = (S_0 × 1000k_B)/q计算势垒高度（k_B为玻尔兹曼常数，q为电子电荷量）。2. 第一性原理计算密度泛函理论（DFT）：模拟金属-半导体界面原子排布，计算电子密度与能带结构。例如，Al/p-CdTe异质结的势垒高度可通过福勒公式（Fowler equation）拟合实验数据。理查德-杜什曼公式：将热发射电流I_th与温度T关联，通过最小二乘法拟合参数，推导势垒高度。3. 动态调控方法摩擦纳米发电机（TENG）：施加外力使TENG产生脉冲电压（50-2000 V），通过镜像力效应降低势垒高度，公式：ΔΦ_B = qV_pulse/(k_B T)。
三、肖特基势垒的应用场景1. 电力电子领域
高频整流：肖特基二极管（SBD）凭借低正向压降（0.4 V）和纳秒级反向恢复时间，广泛应用于开关电源、电动车充电器等场景。例如，onsemi的1N5822RLG二极管在3 A电流下实现40 V反向耐压。
续流保护：在电感电路中，SBD可快速导通释放感应电动势，保护MOSFET等器件免受电压尖峰损坏。
2. 新型存储器件
铁电忆阻器：通过调控界面势垒与铁电自极化的耦合，可实现非易失性存储。中科院团队利用SrRuO3/BiFeO3异质结，将阻变开关速度提升至6.25 ns，写入功耗低至5.3飞焦。
神经形态计算：双向阻变特性模拟生物突触权重，适用于类脑芯片设计。
3. 光电器件与传感
太阳能电池：肖特基势垒在光伏器件中用于载流子分离，例如钙钛矿电池的金属-半导体界面优化可提升光电转换效率。
气体传感器：通过势垒高度对表面吸附的敏感性，实现ppm级气体检测。例如，ZnO纳米线肖特基结在NO2检测中表现出高响应度
4. 先进制造技术
二维材料器件：石墨烯/MoS2异质结的势垒调控可用于高频晶体管。例如，通过重掺杂实现隧穿效应，将接触电阻降至10-8 Ω·cm2。
柔性电子：金属-有机半导体（如P3HT）接触的势垒设计，是柔性显示驱动的关键技术
四、未来研究方向界面工程：通过原子层沉积（ALD）技术精确控制金属-半导体界面缺陷，例如Al/TiO2界面氧空位对势垒高度的量化影响。
多物理场耦合：结合压电、热释电效应动态调控势垒，如摩擦纳米发电机（TENG）产生的脉冲电压可使势垒降低ΔΦB = qVpulse/kBT。
机器学习辅助设计：利用高通量计算数据库训练势垒高度预测模型，加速新材料筛选。
肖特基势垒作为金属-半导体界面物理的核心问题，其理论研究与工程应用始终与第一性原理深度交织。从量子力学计算到高频电力电子器件，从纳米级存储到宏观能源系统，这一领域持续推动着半导体技术的边界。未来，随着计算精度提升与跨学科融合，肖特基势垒的调控将开启更多颠覆性创新。
欢迎同学们来评论区沟通交流和讨论！
作者Author: Stardust0831 时间: 2025-4-7 18:08
第一性原理计算密度泛函理论（DFT）：模拟金属-半导体界面原子排布，计算电子密度与能带结构。
文章中的这句话指的是计算异质结的能带结构么？得到异质结的能带图和电子密度格点数据以后要怎么后处理得到肖特基势垒呢？
作者Author: huisuan2024 时间: 2025-4-8 14:49
在获得异质结的能带图和电子密度格点数据后，后处理提取肖特基势垒的关键在于结合界面能带对齐、电荷分布及电场特性进行综合分析。
一、基础参数提取
1.能带对齐与费米能级定位
从能带图中提取异质结界面两侧的导带底（CBM）和价带顶（VBM）的偏移量（ΔEC和ΔEV）。
确定费米能级（E_F）相对真空能级的位置。对于金属-半导体接触，肖特基势垒高度由金属功函数（Φ_M）与半导体电子亲和势（χ_S）的差值决定：Φ_B = Φ_M - χ_S。若存在费米钉扎效应（如界面态影响），需通过XPS或KPFM实验修正。
2.电子密度分布分析
通过电子密度格点数据识别耗尽层和积累层范围。例如，在C2N/Mg(OH)₂异质结中，电荷重排导致界面处形成内置电场，显著影响电子传输效率。
利用差分电荷密度（如VASP计算中的CHGCAR文件）分析电荷转移方向。例如，石墨烯/InSe异质结中电场调控可改变电荷转移量，从而调节势垒高度。
二、势垒高度与宽度的计算
1.肖特基势垒高度（Φ_B）
理论模型：根据肖特基-莫特理论，势垒高度可通过能带对齐直接计算。例如，在MoS₂基异质结中，通过高通量筛选发现功函数匹配的金属（如T-NiTe₂）可实现欧姆接触。
数值修正：若界面存在偶极矩或重构（如TiO₂/石墨中的悬挂键），需引入界面态密度（D_it）修正。文献中通过掺杂金属（如Zr、Mo）调控ΔEC和ΔEV，使势垒高度降低至1.0 eV以下。
2.势垒宽度（W_B）
电场积分法：从能带弯曲程度计算电场分布E(x)，通过泊松方程积分得到耗尽层宽度。例如，MoSH/WSi₂N₄异质结中，外电场可动态调节势垒宽度，甚至实现p-n型转换。
掺杂优化：重掺杂半导体（如n⁺-n结）可减小W_B。
三、界面效应与修正
1.界面态与费米钉扎
强界面耦合（如Au/MoS₂）会引入金属诱导带隙态（MIGS），导致费米钉扎。而范德华异质结（如H-TaS₂/MoSe₂）因弱耦合抑制MIGS，使势垒接近肖特基-莫特极限。
通过投影态密度（PDOS）分析界面轨道杂化。例如，Mo掺杂TiO₂中，Ti-3d和C-2p轨道杂化形成单一导电路径，而Zn/Cd掺杂破坏该路径，增强内建电场。
2.应变与电场调控
双轴应变可调节能带偏移方向。例如，对MoSH/WSi₂N₄施加压缩应变，实现p型到n型肖特基接触的转变。
外电场（如±0.5 V/Å）可动态调节电荷转移方向。石墨烯/InSe异质结中，正向电场使势垒降低至欧姆接触，反向电场则增大势垒。
四、最后数据可视化
能带图重构
绘制包含空间电荷区的完整能带图，标注Φ_B、W_B及电场分布，对比实验测得的I-V曲线验证模型。
使用软件工具（如TCAD Sentaurus或COMSOL）模拟能带弯曲与载流子输运，优化参数匹配。
作者Author: 徐帅气 时间: 2025-4-8 16:39
请问金属-半导体有这种肖特基势垒，那么金属-石墨烯（半金属）这种异质结也会有吗？还是只要界面有费米函数的差异，这种电化学势差就会引起肖特基势垒，再请教一下，有研究表明势垒对于块体材料整体导电率的影响吗？
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