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标题: vasp计算高熵结构带隙算出负值 [打印本页]

作者
Author: sunnysnowy 时间: 2025-5-16 16:02
标题: vasp计算高熵结构带隙算出负值
我想要计算LLZO和石榴石高熵结构的带隙
计算方法：（1）结构优化（2）计算单点能，得到CHGCAR (3)VASPKIT-303得到KIPOTS, 计算带隙
第三步INCAR
# Basic param
PREC = Normal
ISPIN = 1
VOSKOWN = 0
ISTART=1
ICHARG=11

# Electronic relaxation
SIGMA = 0.2
NELM = 100
NELMIN = 5
EDIFF = 1E-5
ALGO = VeryFast
LORBIT=11
NEDOS=1000

# Ionic relaxation
ISIF = 3
IBRION = 2
NSW = 0
EDIFFG = -0.05

# Dipole corrections
LREAL=AUTO

# Output
LWAVE = .F.
LCHARG = .F.

# Parallelisation
LPLANE = .T.

# Exchange-correlation
GGA = PE

LLZP POSCAR
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计算带隙

(, 下载次数 Times of downloads: 10)
高熵结构POSCAR
(, 下载次数 Times of downloads: 7)

计算带隙
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请大佬看看这是什么问题导致的

作者
Author: yxdd98 时间: 2025-5-17 12:43
提示了带隙特征为半金属，即有某自旋带隙为零，因此这里很小的负值应该是数值误差，取为零就行

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