计算化学公社

标题: 请问vasp中金属氧化物结构优化时应不应该设置磁矩 [打印本页]

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一条君    时间: 2025-5-19 22:42
标题: 请问vasp中金属氧化物结构优化时应不应该设置磁矩
本帖最后由 一条君 于 2025-5-20 00:38 编辑

对镍酸锂LiNiO2(10-14)切面进行结构优化和单点计算(Ni3+:3d7,共含36个),情形一粗优化与情形二精优化算出来的磁矩相差很大,不知道哪个是正确的或者错在哪里,请各位老师指导一下,不胜感激
情形一粗优化
       结构优化时不设置自旋磁矩,偶极矫正DFT+U,sigma=0.5,EDIFFG= -0.05;  单点计算时(ISMEAR = -5)设置自旋磁矩(MAG:Li=0.6,Ni=5,O=0.6),偶极矫正DFT+U,得到的OSICAR磁矩是34.54
情形二
       结构优化设置自旋磁矩(MAG:Li=0.6,Ni=5,O=0.6),偶极矫正DFT+U,sigma=0.1,EDIFFG= -0.02;单点计算设置与情形一单点相同,得到的OSICAR磁矩是64

理论上磁矩是不是应为36,情形一更接近,(1)请问一计算过程能否接受,是否需要改进。(2)为什么设置更合适的情形二反而算的不对呢


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谢谢各位老师@卡开发发 @让你变成回忆   @jiangning198511  @乘风万里  @北大-陶豫
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一条君    时间: 2025-5-19 22:44
本帖最后由 一条君 于 2025-5-20 20:48 编辑

输入输出文件部分内容如图,晶胞尺寸:9*17*23,优化时k点均为211,单点k点为221
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卡开发发    时间: 2025-5-20 10:44
一条君 发表于 2025-5-19 22:44
输入输出文件部分内容如图,晶胞尺寸:9*17*23,优化时k点均为211,单点k点为221

1、既然已经能确定块体情形(实际上MP数据库可查)Ni的磁矩为1,你可以按照1~2去做初猜,不应该按5猜。尤其在开着DFT+U的情况就更容易数值不稳定。
2、MP给出来的参考似乎应该都是没有bandgap的,此时对ismear=-5计算电子结构应该慎用,即便使用也需要足够大的k点,大概率会远大于结构优化过程中的需求。
3、case1和case2都不一定是对的,按道理自洽计算时至少力不应该差别这么大,但现在没办法考证,因为ismear=-5对金属性体系计算力也会很离谱。
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一条君    时间: 2025-5-20 21:42
卡开发发 发表于 2025-5-20 10:44
1、既然已经能确定块体情形(实际上MP数据库可查)Ni的磁矩为1,你可以按照1~2去做初猜,不应该按5猜。尤 ...

老师,我们这个是半导体,同学说MP有时候给的能带是错的
【自洽计算时至少力不应该差别这么大】,请问说的是哪两个部分力的差别呢,
半导体的情况,此时能说明哪个是对的吗
谢谢老师
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卡开发发    时间: 2025-5-21 09:09
本帖最后由 卡开发发 于 2025-5-21 09:18 编辑
一条君 发表于 2025-5-20 21:42
老师,我们这个是半导体,同学说MP有时候给的能带是错的
【自洽计算时至少力不应该差别这么大】,请问说 ...
同学说MP有时候给的能带是错的

新的MP错的可能性比较大(新版本磁序也有存在问题的时候),但我也同时核对了旧版本的,不过我不确定GGA级别到底给出来情况如何,这个需要谨慎检查,如果是金属性体系ismear=-5应当要慎重使用。
自洽计算时至少力不应该差别这么大

这里指的是结构优化最终步的力与后续自洽计算的力,与是否为半导体无关,仅因为ismear=-5对金属性体系力计算很可能不合理所以无法断定这件事。

值得提到的是,一些磁性或磁矩对结构敏感的体系,VASP反复做结构优化可能都会呈现不同的结果(即便不变胞),所以猜一个合理的磁矩且保证足够的计算精度是非常重要的。





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