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标题: 咨询一下ONIOM中如何实现GAFF力场呢?谢谢指点 [打印本页]

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小范范1989    时间: 2017-4-5 10:51
标题: 咨询一下ONIOM中如何实现GAFF力场呢?谢谢指点
ONIOM中没有GAFF力场,如果想和MD统一起来,因为MD采用的GAFF力场。ONIOM中如何设置GAFF力场呢?
下面是UFF力场的文件:
# ONIOM(b3lyp/6-31g(d):UFF=qeq) geom=connectivity


Title Card Required


0 1
C                0    0.44315994    1.51239445    0.01979826 H
H                0    0.79981437    0.50358445    0.01979826 H
H                0    0.79983278    2.01679264    0.89344977 H
H                0    0.79983278    2.01679264   -0.85385324 H
H                0   -0.62684006    1.51240764    0.01979826 H
C                0   -0.57803471   -1.39679742   -0.01828502 L
H                0   -0.22138028   -2.40560743   -0.01828502 L
H                0   -0.22136187   -0.89239923    0.85536648 L
H                0   -0.22136187   -0.89239923   -0.89193652 L
H                0   -1.64803471   -1.39678424   -0.01828502 L


1 2 1.0 3 1.0 4 1.0 5 1.0
2
3
4
5
6 7 1.0 8 1.0 9 1.0 10 1.0
7
8
9
10
如果想用GAFF力场,整个应该如何修改呢?

谢谢指点

作者
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sobereva    时间: 2017-4-5 13:03
让ONIOM计算时读取额外的参数信息,看手册hardfirst、softfirst关键词,并把需要用GAFF力场描述的那部分参数按照Gaussian支持的力场参数格式写在输入文件末尾即可
exploring第三版的ONIOM部分我记得有读取额外参数的例子你可以参考

作者
Author:
小范范1989    时间: 2017-4-5 19:02
sobereva 发表于 2017-4-5 13:03
让ONIOM计算时读取额外的参数信息,看手册hardfirst、softfirst关键词,并把需要用GAFF力场描述的那部分参 ...

偶,好的,谢谢sob老师。
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myyang    时间: 2017-4-7 00:23
sob老师,您好,我最近也同楼主在做同样的事情,希望在oniom中使用gaff力场,我已经把amber中的参数文件改成高斯支持的参数文件。现在我测试了一个例子,发现用高斯计算和amber计算的bond,angle,dihandral,以及范得华相互作用项都基本一致,唯独库伦项有差别(给的电荷一致),为什么呢,我的问题可能出在哪里,求指导,谢谢
作者
Author:
sobereva    时间: 2017-4-7 05:10
myyang 发表于 2017-4-7 00:23
sob老师,您好,我最近也同楼主在做同样的事情,希望在oniom中使用gaff力场,我已经把amber中的参数文件改 ...


应当是静电计算的方式上不同,比如amber程序里是否用了PME,或者特定距离的截断半径等等,这都会和Gaussian产生分歧。
作者
Author:
小范范1989    时间: 2017-4-7 08:16
myyang 发表于 2017-4-7 00:23
sob老师,您好,我最近也同楼主在做同样的事情,希望在oniom中使用gaff力场,我已经把amber中的参数文件改 ...

你好,你是如何把amber外参数加入高斯支持文件的呢?我没用过amber,我以为直接写amber就行了呢。
方便发个例子看看吗?谢谢指点
作者
Author:
myyang    时间: 2017-4-7 09:18
sobereva 发表于 2017-4-7 05:10
应当是静电计算的方式上不同,比如amber程序里是否用了PME,或者特定距离的截断半径等等,这都会和Gaus ...

谢谢sobl老师,我再仔细的check 他们静电计算所采用的公式。
作者
Author:
myyang    时间: 2017-4-7 09:25
小范范1989 发表于 2017-4-7 08:16
你好,你是如何把amber外参数加入高斯支持文件的呢?我没用过amber,我以为直接写amber就行了呢。
方便 ...

Gaussian中所自带的Amber力场不是gaffl力场,而且很多原子类型都没有,所以需要像sob老师说的那样自己额外给。
如下是我用guassian gaff 立场计算乙烷单点的例子:
%chk=test-1.chk
%nproc=16
%mem=1200MW
#p amber=(softonly)  nosymm

Title Card Required

0 1
C-c3--0.094100         0.1450    -0.6740    -0.0040
H-hc-0.031700          0.5020    -1.6830    -0.0040
H-hc-0.031700          0.5020    -0.1700    -0.8780
H-hc-0.031700         -0.9250    -0.6740    -0.0040
C-c3--0.094100         0.6590     0.0520     1.2530
H-hc-0.031700          1.7290     0.0520     1.2530
H-hc-0.031700          0.3020     1.0600     1.2530
H-hc-0.031700          0.3020    -0.4530     2.1270

@./GAFF2-new.prm

在这个文件中, GAFF2-new.prm 是我根据amber的gaff的力场参数文件(gaff2.dat)改成高斯能识别的格式,这个可以自己写个小程序来处理。 可以参照amber和Gaussian 的说明书。
作者
Author:
小范范1989    时间: 2017-4-7 11:03
myyang 发表于 2017-4-7 09:25
Gaussian中所自带的Amber力场不是gaffl力场,而且很多原子类型都没有,所以需要像sob老师说的那样自己额 ...

偶,这样子,谢谢指点,我尝试一下,谢谢




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