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标题: 关于使用CP2K优化分子在Cu表面吸附构型时分子断裂的问题 [打印本页]

作者
Author: Hitomilpc 时间: 2025-9-20 08:08
标题: 关于使用CP2K优化分子在Cu表面吸附构型时分子断裂的问题
老师们好，

最近在学习使用CP2K做一些吸附方面的计算，尝试计算一些分子在Cu111面上的吸附构型。但是在做几何优化时发现构型非常难收敛，并且随着优化，分子会发生很诡异的断裂。估计是input文件没写好，想请各位老师看下问题出在哪里。

作者
Author: sobereva 时间: 2025-9-21 02:32
Z方向真空区根本不够，完全不能满足MT做二维周期性计算的要求。
PS：如果你参加过北京科音CP2K第一性原理计算培训班（http://www.keinsci.com/KFP），认真复习 “能量的计算及相关问题” 里面 “低维体系的计算” 的部分，对这部分要点讲得极其详细。没这些常识完全没法正确做计算

作者
Author: reid 时间: 2025-9-22 00:40
卢老师说的对，你这个体系Z轴至少30. 建议系统学一下吧

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Author: Hitomilpc 时间: 2025-9-22 09:47

sobereva 发表于 2025-9-21 02:32
Z方向真空区根本不够，完全不能满足MT做二维周期性计算的要求。
PS：如果你参加过北京科音CP2K第一性原理 ...

谢谢sob老师，我尝试将z轴调到30A就正常了，虽然每步计算时间变长了，但scf收敛步数明显变少了。想问下老师z方向的高度设置有没有一些经验方法。比如我这个体系我发现吸附分子的最高点到盒子最高点只要超过15A就可以，那对于其他体系这个经验能否套用？

作者
Author: Hitomilpc 时间: 2025-9-22 09:48

reid 发表于 2025-9-22 00:40
卢老师说的对，你这个体系Z轴至少30. 建议系统学一下吧

谢谢老师，调到30确实可以了

作者
Author: 卢夫 时间: 2025-9-24 11:33
下实上虚你这虚的真空层太少了经验正常最少十五个吧

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