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标题: cp2k使用OT和对角化计算出的dos相差较大是否正确？ [打印本页]

作者
Author: 一只小飞飞 时间: 2025-10-6 16:07
标题: cp2k使用OT和对角化计算出的dos相差较大是否正确？
请问我使用OT和对角化两种方法计算出的dos，带隙相差0.5eV这是否属于正常情况吗？体系是SiC/SiO2界面体系，使用的基组是DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q1，使用了hse06泛函，其它设置都是使用Multiwfn自动生成的参数。

作者
Author: kaikai 时间: 2025-10-7 10:55
开OT不记录轨道信息吧

作者
Author: 一只小飞飞 时间: 2025-10-7 11:01

kaikai 发表于 2025-10-7 10:55
开OT不记录轨道信息吧

可以，参考这个http://sobereva.com/651

作者
Author: yuzc 时间: 2025-10-10 15:27
请基于OT收敛的波函数重新做一次对角化对比下。

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