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标题: 分子表面静电势应该用频率计算后的结果还是单点能计算后的结果 [打印本页]

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陈大名    时间: 2025-10-18 23:24
标题: 分子表面静电势应该用频率计算后的结果还是单点能计算后的结果
本帖最后由 陈大名 于 2025-10-18 23:24 编辑

我在Gaussian使用中有一个基础理论方面的问题不清楚,主要是我不知道什么时候使用结构优化和频率计算后的fch文件就可以,什么时候需要用单点能计算后的fch文件,我想请教各位老师有没有相关的文献或者帖子有关于这个问题的讨论,具体来说:

1.分子表面静电势分析应该使用频率计算后的结果还是单点能计算后的结果,这两者的结果差异
2.RESP拟合静电势电荷应该使用频率计算后的结果还是单点能计算后的结果,我在之前的一篇帖子看到使用了频率计算后的结果(使用Sobtop超级方便地创建二茂铁的GROMACS的拓扑文件 - 思想家公社的门口:量子化学·分子模拟·二次元

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KazusaT    时间: 2025-10-19 02:10
表面静电势和RESP需要的都是体系的波函数,所以单点和振动分析都可以,如果你的目的是获得表面静电势和RESP电荷应该做单点
sobtop创建二茂铁拓扑文件是因为需要振动分析获得Hessian矩阵,所以直接用了频率计算结果,不需要额外做单点计算(计算水平一致的情况下)
作者
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sobereva    时间: 2025-10-19 06:18
详谈Multiwfn支持的输入文件类型、产生方法以及相互转换
http://sobereva.com/379http://bbs.keinsci.com/thread-6020-1-1.html

上文专门说了

(, 下载次数 Times of downloads: 0)
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陈大名    时间: 2025-10-20 10:40
sobereva 发表于 2025-10-19 06:18
详谈Multiwfn支持的输入文件类型、产生方法以及相互转换
http://sobereva.com/379(http://bbs.keinsci.co ...

好的,谢谢社长
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陈大名    时间: 2025-10-20 10:40
KazusaT 发表于 2025-10-19 02:10
表面静电势和RESP需要的都是体系的波函数,所以单点和振动分析都可以,如果你的目的是获得表面静电势和RESP ...

明白了,谢谢




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