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标题: 对于反系间窜跃RISC的S1能级结构问题 [打印本页]

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Author: stc980309 时间: 2025-11-24 21:56
标题: 对于反系间窜跃RISC的S1能级结构问题
对于反系间窜跃，从T1到S1的过程 S1的结构对应的能级，是否可以理解成在T1的稳态结构下计算S1的能级。如果是，这个能级如何通过实验去验证？低温荧光的激发对应的是S0稳态结构下的S1能级，而低温荧光的发射对应的是S1稳态结构下的能级。都与T1稳态下的S1能级不匹配。而且查阅了不少文献，甚至不乏院士的文章都是采用低温发射能级当作RISC的S1的能级。感谢大佬们解惑。谢谢。

作者
Author: sobereva 时间: 2025-11-25 02:09
“低温荧光的激发对应的是S0稳态结构下的S1能级，而低温荧光的发射对应的是S1稳态结构下的能级”这种都是不确切的说法，完全忽略了分子振动、振动态。哪怕是0K的时候，分子也是在不断振动的。诸如“S0稳态结构下的S1能级”这种不是实验上能直接测的，顶多是基于实验数据近似反推出来的理论假想的量。

如果你要理论算RISC速率，需要得到的是T1和S1之间的绝热激发能，用各自极小点的各自态能量求差。北京科音高级量子化学培训班（http://www.keinsci.com/KAQC）讲系间窜越速率计算的部分给了完整的例子和很具体的说明。

作者
Author: stc980309 时间: 2025-11-25 10:59

sobereva 发表于 2025-11-25 02:09
“低温荧光的激发对应的是S0稳态结构下的S1能级，而低温荧光的发射对应的是S1稳态结构下的能级”这种都是不 ...

感谢sob老师的回答，谢谢老师

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