计算化学公社
标题:
vasp计算能带异常尖峰求助
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作者Author:
hanhandada
时间:
2025-11-25 19:20
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vasp计算能带异常尖峰求助
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现象:计算的能带图出现了
异常的尖峰
,如图1;
采用散点图后看不到异常尖峰
,如图2;且pdos数据如下,第一个INCAR是PDOS的,第二个INCAR是band的。
问题:
1、能带图出现异常的峰,vaspkit读取带隙是负数,是这个导致的吗?其次为了消除这个峰曾在网上查找过相关解决方案,调整NBANDS和ISYM均无效果,请求各位大佬帮忙解释下这个现象出现的原因以及解决方案。
2、有关VBO和CBO的读取,band offset读取是直接从投影能带图上看不同slab的VBM、CBM差值吗?从图上读取有很大误差吧,网上找寻相关读取标准,暂未找到,请求各位大佬告知下标准读取方案。
3、有关vasp加电场,是如右图所示在scf的INCAR加上右侧参数,就是c轴上添加了0.1eV电场吗?那么我的结构如右图所示,DIPOL的位置设置正确吗?设置标准是什么?以及0.1eV电场方向是什么呀?从左到右电势累加?还是累减?
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拜托各位大佬点拨下萌新,本人花费过很多时间在网上找这几个问题的答案,的确没有找到,如果还差什么数据,我随时补上。
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