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标题: 如何搭建Ag(111)和SiO2(111)异质结结构并使用cp2k进行结构优化更加合理? [打印本页]

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杨小狗    时间: 2025-12-11 21:56
标题: 如何搭建Ag(111)和SiO2(111)异质结结构并使用cp2k进行结构优化更加合理?
对于异质结构表面构建的程序,我使用了MS的build layer功能,构建了失配率不大的Ag111表面和SiO2的111表面的结构(如图1所示),xy晶面上放置的是Ag原子,上边放置了SiO2,中间间隔一定的距离。如果我要做成具有XY周期性的异质层,对于Ag来说我认为Z方向不用考虑配位是不是满的,但对于SiO2来说,在Z方向应是无周期性的,因此我得把Si在Z方向上的配位O原子补满
对于搭建的结构,当两个异质结构层间距离比较小的时候,使用CP2K的FN-1-XTB方法优化结构,计算完的结构:Ag和SiO2会被优化到一块,形成化学键(Ag原子和Si,O原子混在一起)。使用了纯泛函PBE和GTH-PBE类型的基组(已考虑赝势),优化出来也是形成化学键的结构(如图2,才发现图2被我删掉了,我拿一个类似的结构)。请问是我搭建的异质结构不合理还是其他原因导致的两层状表面混到一块的呢?还请大佬根据我上传的cif晶胞,帮我切晶面,构建一个合理的异质层结构。

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ykhuang    时间: 2025-12-12 11:18
到了我的code大显神威的时候力:
(仅展示三种quartz的第一个和最后一个构型,区别在于两相界面的键连方式):

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Uus/pMeC6H4-/キ    时间: 2025-12-12 11:25
ykhuang 发表于 2025-12-12 11:18
到了我的code大显神威的时候力:
(仅展示三种quartz的第一个和最后一个构型,区别在于两相界面的键连方式 ...

这个异质结建模的code是开源/免费的么,方便单独在论坛上发个详细教程么?
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ykhuang    时间: 2025-12-12 11:29
Uus/pMeC6H4-/キ 发表于 2025-12-12 11:25
这个异质结建模的code是开源/免费的么,方便单独在论坛上发个详细教程么?

抱歉暂时不太方便开源~




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