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标题: 求助VASP计算界面水的AIMD结果异常 [打印本页]

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Author: TriumphYes 时间: 2025-12-13 11:15
标题: 求助VASP计算界面水的AIMD结果异常
本帖最后由 TriumphYes 于 2025-12-14 11:03 编辑

各位老师好，这是我构建的界面水模型，Cu的底层是3层4x4Cu(111)面，CuPd模型的底层和Cu模型类似，只是把最上层中间的Cu原子换成了Pd原子，上层是60个水分子、1个K离子和一个OH根。用VASP跑AIMD，目的是得到H和O距界面的分布情况。
模型均进行了初始结构优化，但没有收敛。之后是AIMD，encut = 400；NVT系综；SMASS = 1；步长0.5fs；16000步，共8ps

问题1：第一次跑的时候加大真空层，Z轴设置为长30埃，发现Cu模型水分子往真空层上跑了，CuPd模型水分子距离界面较远，和预期的CuPd中H距离界面更近的目标不符
问题2：第二次跑的时候模型未加大真空层，在跑的过程中发现CuPd模型的水分子仍然离开界面，同时Cu和CuPd温度开始的时候非常离谱，和INCAR文件中设置的300K严重偏离

所有输入文件如附件所示，POTCAR文件用的是vaspkit、选用默认设置生成。

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