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标题: 不同电荷的分子表面静电势,谁与外界环境作用更强 [打印本页]

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赵云跳槽    时间: 2017-5-4 23:47
标题: 不同电荷的分子表面静电势,谁与外界环境作用更强
碰到这样一个问题,想分析得到这样的结果:正电荷并五苯的分子与外界作用 小于 负电荷并五苯与外界作用
分子表面静电势的分析结果
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说明几点:1. 分子表面均是中性并五苯的,只是分子表面的静电势数值是其各自的;
2. 分子不同静电势区间内的表面积分布图中,对负电荷的数值变了符号,为了比较;
3. 5ben就是并五苯,简写了

先看表,正电荷的平均值虽然更大,但其静电势的方差很小,大的静电势数值占得比重不高,能不能说明 实际上 负电荷与外界的作用更强?(很勉强
还有,能通过其他更加直观的方法能够说明带电荷分子与环境的作用强弱吗?最好是能够和分子结构关联,这样我就可以设计分子了

非常感谢

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ggdh    时间: 2017-5-5 02:20
本帖最后由 ggdh 于 2017-5-5 02:33 编辑

环境是否各向异性?环境的IP EA是多少? 这些都不谈,如何讨论作用强弱?
不够这种分布确实很好玩,是不是负电荷的分布更加的localize。从而导致表明静电势的方差分布更大?能否把静电势图以及空穴电子分布图贴上来进一步分析



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赵云跳槽    时间: 2017-5-5 08:57
ggdh 发表于 2017-5-5 02:20
环境是否各向异性?环境的IP EA是多少? 这些都不谈,如何讨论作用强弱?
不够这种分布确实很好玩,是不是 ...

非常感谢钟老师的回复

我是通过单分子+PCM模型来计算固相的IP和EA值的,通过介电常数来说明环境作用的
环境就是并五苯晶体,是有各向异性的[attach]8684[/attach]
我不知道你说的环境的IP和EA是啥?我就是正常的Lyons模型来计算的


我把中性分子的静电势图和正电荷在表面上的静电势和负电荷在表面上的静电势加和图列在下面
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上传这个5ben-a+c为了说明分子表面上正负静电势的抵消情况,实际上这个图跟中性分子的静电势图类似

现在做出来的结果是P-的极化能更小,但如前面的问题所示,如何显示出 负电荷并五苯与外界作用 更强?
谢谢指点


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ggdh    时间: 2017-5-5 09:56
5ben-a+c 并没有抵消(注意标度的变化),而是负的更负了,正的更正了。这说明对于5ben分子,电子更集中在中间,而空穴更集中在外周。有了这个基本的判断,下面开始忽悠:
你既然考虑的是并五苯晶体,就要考虑是π-π stacking 为主还是edge to face interaction 为主,如果是前者,那么主要稳定分布在中间电子,如果是后者,那么主要稳定分布在外周的空穴。
作者
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赵云跳槽    时间: 2017-5-5 13:47
ggdh 发表于 2017-5-5 09:56
5ben-a+c 并没有抵消(注意标度的变化),而是负的更负了,正的更正了。这说明对于5ben分子,电子更集中在 ...

并五苯晶体是人字形,空穴分布更稳定,实验上也确实是P+的极化能更大,当然这点也可以通过四极矩来验证

但现在我考虑的是单分子+PCM,这个没有考虑分子间的堆积和排列,这个并不能体现出 负电荷并五苯与外界溶剂分子作用 更强?




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