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标题: 请问分分析孔道的电子密度 [打印本页]

作者
Author: zhengyue 时间: 2026-1-8 19:13
标题: 请问分分析孔道的电子密度
各位老师好，我在使用一个kgm拓扑结构的COF吸附金属离子，我的计算结果表明离子在大孔的结合能小，而在小孔结合能高，因此我说吸附优先发生在小孔中。
现在老师问，是什么原因造成了这种差异？我想回答的是可能是小孔的电荷密度高，负电性强，但我不太清楚怎么证明，计算了Hirshfeld电荷，但是N的数值近似相等，计算了ESP也只有一点区别，海还计算了HOMO-LUMO，这个也有些差异，但不是很大。请问还有什么计算内容能够佐证这一观点？求各位老师不吝指导，万分感谢。

作者
Author: sobereva 时间: 2026-1-8 20:06
取决于被吸附物与COF之间的相互作用主要本质来自于什么
如果静电作用为主，那你可以用Multiwfn分析表面静电势根据互补性讨论，参考
使用Multiwfn+VMD快速地绘制静电势着色的分子范德华表面图和分子间穿透图（含视频演示）
http://sobereva.com/443（http://bbs.keinsci.com/thread-11080-1-1.html）
使用Multiwfn的定量分子表面分析功能预测反应位点、分析分子间相互作用
http://sobereva.com/159
以及下文的静电势部分
Angew. Chem.上发表了全面介绍各种共价和非共价相互作用可视化分析方法的综述
http://sobereva.com/746（http://bbs.keinsci.com/thread-54361-1-1.html）

如果是范德华作用主导的，应当考察范德华势，看上文中范德华势部分，以及
谈谈范德华势以及在Multiwfn中的计算、分析和绘制
http://sobereva.com/551（http://bbs.keinsci.com/thread-17271-1-1.html）
使用Multiwfn对静电势和范德华势做拓扑分析精确得到极小点位置和数值
http://sobereva.com/645（http://bbs.keinsci.com/thread-30769-1-1.html）

并且，对吸附后的结构，做IGMH或mIGM分析，对于考察相互作用情况很有帮助，参看
使用Multiwfn做IGMH分析非常清晰直观地展现化学体系中的相互作用
http://sobereva.com/621（http://bbs.keinsci.com/thread-28147-1-1.html）
使用amIGM方法图形化直观展现动态过程中的平均弱相互作用
http://sobereva.com/759（http://bbs.keinsci.com/thread-57317-1-1.html）
一篇最全面介绍各种弱相互作用可视化分析方法的文章已发表！
http://sobereva.com/667（http://bbs.keinsci.com/thread-37629-1-1.html）

算HOMO-LUMO毫无用处，跟弱相互作用没直接关系

作者
Author: zhengyue 时间: 2026-1-9 14:36
好的谢谢老师

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